格子散乱移動度の英語

不均質接面格子ミスマッチによる応力の散乱を改善して、ゲート電圧振幅の範囲を増加し、また、ドレーン飽和電流に、ステップアップ増加する現象を起こさせ、更に、電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅ワーキング・エリア域の高電子移動度トランジスタを形成することを課題とする。例文帳に追加

To enable a high electron mobility transistor to increase a gate voltage swing range by improving the scattering of a stress caused by a mismatched heterogeneous contact surface lattice, to cause a drain saturation current to produce a phenomenon of step-up increase, and further to generate a working area region of voltage-compliant multiple-stage extrinsic transconductance amplification. - 特許庁