正孔注入の英語

正孔注入電極と電子注入電極との間には、開口３８が形成される。例文帳に追加

An opening 38 is made between the positive hole injection electrode and the electron injection electrode. - 特許庁

第１絶縁層14は、正孔注入を制御し、陰極から注入される電子の流れを防止する。例文帳に追加

The first insulating layer 14 controls the hole injection and prevents the flow of electrons injected from the cathode. - 特許庁

隣接する発光層や正孔輸送層に対して正孔注入障壁を軽減し、確実に正孔注入を行うことが可能な正孔注入層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。例文帳に追加

To provide an organic electroluminescent element having a positive hole injection layer capable of reducing positive hole injection barriers to an adjacent luminous layer and an adjacent positive hole transport layer, and capable of injecting a positive hole surely. - 特許庁

電子注入電極５および正孔注入電極６の上ならびに電子注入電極５と正孔注入電極６との間には、有機半導体層７が形成されている。例文帳に追加

An organic semiconductor layer 7 is formed on the electron injection electrode 5 and the holeinjection electrode 6 and between the electron injection electrode 5 and the injection electrode 6. - 特許庁

正孔注入輸送層を有するデバイス、及びその製造方法、並びに正孔注入輸送層形成用インク例文帳に追加

DEVICE HAVING HOLE INJECTION TRANSPORT LAYER AND FABRICATION PROCESS, AND INK FOR FORMING HOLE INJECTION TRANSPORT LAYER - 特許庁

半透過電極１５上に正孔注入膜２０を形成し、正孔注入膜２０上にはＯＬＥＤ層２１を形成する。例文帳に追加

A hole injection film 20 is formed on the semi-transmissive electrode 15, and an OLED layer 21 is formed on the hole injection film 20. - 特許庁

ITO の陽極９は、全体としての抵抗が小さく、かつ正孔注入輸送層８との界面のＩ_p が正孔注入輸送層８に近い。例文帳に追加

The resistance of the positive electrode 9 of ITO as a whole is small, and the Ip of the interface with the hole injection transporting layer 8 approximates that of the hole injection transport layer 8. - 特許庁

ITO の陽極３は、全体としての抵抗が小さく、かつ正孔注入輸送層４との界面のＩ_p が正孔注入輸送層４に近い。例文帳に追加

The anode 3 made of ITO has a small resistance as a whole and the Ip approximate to that of the hole injection transfer layer 4 at the interface in contact therewith. - 特許庁