相補型トランジスタ論理の英語

相補型パス・トランジスタ論理回路および半導体装置例文帳に追加

COMPLEMENTARY PASS TRANSISTOR LOGIC CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

論理回路領域１９２は、相補型電界効果型トランジスタを含む。例文帳に追加

The logic circuit region 192 includes a complementary field effect transistor. - 特許庁

共通ゲートを備える相補型金属酸化物半導体薄膜トランジスタ、それを備える論理素子及びそのトランジスタの製造方法例文帳に追加

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR THIN-FILM TRANSISTOR COMPRISING COMMON GATE, LOGIC DEVICE COMPRISING IT, AND METHOD OF MANUFACTURING TRANSISTOR - 特許庁

論理回路領域において、第３のゲート電極膜４０と第１のゲート電極膜３７を積層し、Ｎ型トランジスタ及びＰ型トランジスタ共に表面チャネル領域を持つような相補型ＭＯＳ論理回路を構成する。例文帳に追加

In the logic circuit domain, a third gate electrode film 40 and a first gate electrode film 37 are laminated to form a complementary MOS logic circuit including the surface channel domain in both n-type transistor and p-type transistor. - 特許庁

通常のゲート電極の他に、閾値電圧を制御するための第２のゲート電極が備えられたｎチャネル型トランジスタ、或いはｐチャネル型トランジスタを、相補型の論理回路に用いる。例文帳に追加

In addition to an ordinary gate electrode, an n-channel transistor or a p-channel transistor provided with a second gate electrode for controlling threshold voltage is used in a complementary logic circuit. - 特許庁

第１の薄膜トランジスタ３および第２の薄膜トランジスタ４のうちの少なくとも一部のもの同士は、互いに接続されて相補型論理回路を構成している。例文帳に追加

At least parts of the first and second thin film transistors 3 and 4 are connected to each other to constitute a complementary logic circuit. - 特許庁