相補型金属酸化物半導体の英語

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電気・電子用語集での「相補型金属酸化物半導体」の英訳

相補型金属酸化物半導体

Complementary Metal-Oxide Semiconductor

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「相補型金属酸化物半導体」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 9件

例文

相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）構造物例文帳に追加

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) STRUCTURE - 特許庁

選択デバイスは、シリコン−オン−絶縁物（SOI）相補型金属酸化物半導体（CMOS）技術で実装される。例文帳に追加

The selection device may be implemented in silicon-on-insulator (SOI) complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) technology. - 特許庁

ゲート誘電体の上に複数のシリサイド金属ゲートが作製される相補型金属酸化物半導体集積化プロセスを提供する。例文帳に追加

To provide a complementary metal oxide semiconductor integration process that allows a plurality of silicide metal gates to be prepared on a gate dielectric. - 特許庁

相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）プロセスを用いて、演算増幅器の位相反転を防ぐための保護回路を作製すること。例文帳に追加

To manufacture an operational amplifier, having a phase reversal protection circuit, using a complementary metal oxide semiconductor(CMOS) process. - 特許庁

共通ゲートを備える相補型金属酸化物半導体薄膜トランジスタ、それを備える論理素子及びそのトランジスタの製造方法例文帳に追加

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR THIN-FILM TRANSISTOR COMPRISING COMMON GATE, LOGIC DEVICE COMPRISING IT, AND METHOD OF MANUFACTURING TRANSISTOR - 特許庁

閾値電圧及びフラットバンド電圧の望ましくないシフトを防止する相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）に用いるための絶縁中間層が設けられる。例文帳に追加

An insulating intermediate layer for use in the complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) is provided in order to prevent undesirable shifts of the threshold voltage and the flat-band voltage. - 特許庁

例文

構造の閾値電圧及びフラットバンド電圧を安定化させることができる、Ｓｉ含有ゲート電極と高ｋゲート誘電体との間の中間層を含む相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）構造例文帳に追加

To provide a complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) structure including an intermediate layer between a Si-containing gate electrode and a high-k gate dielectric, so that a threshold voltage and a flat-band voltage of the structure are stabilized. - 特許庁

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「相補型金属酸化物半導体」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 9件

例文

金属酸化物半導体（ＭＯＳ）、相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）のデバイス、並びにそれらのチップ設計に於いて、既存の非フィン設計構造からＦｉｎＦＥＴ（ダブル・ゲート・フィン・ベース電界トランジスタ）技術に基づく機能的に同一の構造に設計を維持したまま移行する事ができる信頼できる方法及び装置の提供。例文帳に追加

To provide a reliable method and a device which enable design-keeping transition from an existing non-fin design structure to a functionally identical structure based on a technology of a double-gate fin-base field-effect transistor FinFET in a metal-oxide semiconductor MOS, a device of a complementary metal-oxide semiconductor CMOS, and designing chips of the semiconductors. - 特許庁