相補型金属酸化膜半導体の英語

本発明は、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）撮像装置フラッシュリセット回路４００を提供する。例文帳に追加

A complementary metal oxide semiconductor (CMOS) imager flush reset circuit 400 is provided. - 特許庁

共通ゲートを備える相補型金属酸化物半導体薄膜トランジスタ、それを備える論理素子及びそのトランジスタの製造方法例文帳に追加

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR THIN-FILM TRANSISTOR COMPRISING COMMON GATE, LOGIC DEVICE COMPRISING IT, AND METHOD OF MANUFACTURING TRANSISTOR - 特許庁

応力ライナによるコンタクト形成の問題が起きない、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）デバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a complementary metal-oxide film semiconductor (CMOS) device that is free from causing troubles in contact formation by a stress liner, and to provide a method of manufacturing the device. - 特許庁

相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）型アクティブ画素センサ（ＡＰＳ）撮像方式において低周波数ノイズを著しく低減する回路を提供する。例文帳に追加

To provide a circuit for remarkably reducing a low frequency noise in a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) active pixel sensor (APS) imaging system. - 特許庁

本発明は、各々が少なくとも第１のゲート・スタック及び第２のゲート・スタックを含有する高性能相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）回路に関する。例文帳に追加

In the high-performance complementary metal oxide film semiconductor (CMOS) circuit, each semiconductor unit has at least the first gate stack and the second gate stack. - 特許庁

本発明は、レーザで焼き切る技術から招かれる問題を解決するために、標準相補型金属酸化膜半導体技術によって製造されるオプションフューズ回路を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide an option fuse circuit produced by a standard complementary metal oxide film semiconductor technique to solve a problem derived from a burning technique by a laser. - 特許庁

該メカニズムは、必要な面積が非常に僅かで、使用されていないときには給電を止めることのできる標準的な相補型金属酸化膜半導体プロセスで簡単な回路を用いて具体化され得る。例文帳に追加

The mechanism is very slight in a required area, and is embodied using a simple circuit in a standard complementary type metal oxide film semiconductor process capable of stopping electric power supply when not used. - 特許庁

例示的な応用例として、アスペクト比トラッピング技術を用いることによって、相補型金属酸化膜半導体光検出器がシリコン基板上に形成される。例文帳に追加

As an exemplary application, a complementary-metal-oxide-semiconductor photodetector is formed on a silicon substrate by using an aspect-ratio-trapping technique. - 特許庁