砒素の検出の英語

鉱山廃水などに含まれることがある低濃度の砒素を短時間で検出する。例文帳に追加

To detect arsenic with low concentration which may be contained in mining waste water, etc. in a short time. - 特許庁

砒素を含む３−５族化合物の半導体層と、酸化物、窒化物または酸窒化物の絶縁層と、を備え、前記半導体層と前記絶縁層との間に砒素の酸化物が検出されない半導体基板が提供される。例文帳に追加

The semiconductor substrate includes a group 3-5 compound semiconductor layer containing arsenic, and an insulating layer composed of oxide, nitride or oxynitride, and an oxide of arsenic is not detected between the semiconductor layer and the insulating layer. - 特許庁

前記検出素子を、テルル化カドミウム、テルル化カドミウム亜鉛、ガリウム砒素、臭化タリウムのうちの一つの単結晶で構成する。例文帳に追加

The detecting element is made of a single crystal of one of cadmium telluride, cadmium zinc telluride, gallium arsenide, and thallous bromide. - 特許庁

本検査方法においては、まず、設定したドーズ量で酸化膜に砒素を注入し、この酸化膜を回収しＩＣＰ−ＭＳにより分析して実際に打ち込まれた砒素の量（注入量）を検出し、ドーズ量と注入量との関係を求める。例文帳に追加

In the inspection method, arsenic is implanted to an oxide film in a set dosage first, the oxide film is recovered and analyzed by an ICP-MS, the quantity (the quantity of an implantation) of actually driven arsenic is detected, and a relationship is obtained between the dosage and the quantity of the implantation. - 特許庁

当該第１の形態において半導体基板は、前記半導体層と前記絶縁層との間に存在する元素を対象としたＸ線光電子分光法による光電子強度の分光観察において、砒素に起因する元素ピークの高結合エネルギー側に、酸化された砒素に起因する酸化物ピークが検出されないものであってよい。例文帳に追加

In a first mode, the semiconductor substrate may be a substrate wherein an oxide peak due to oxidized arsenic is not detected on the high binding energy side of an element peak due to arsenic, in spectroscopic observation of photoelectron intensity by X-ray photoelectronic spectroscopy performed to an element existing between the semiconductor layer and the insulating layer. - 特許庁

Ｘ線検出器（４０１、５０１、６０１）は、ドープされていないゲルマニウム層（４０２、５０２）が、反対にドープされた２つのガリウム砒素層（４０３、４０４、５０３、５０５）の間に密閉された半導体ヘテロ構造を備えた検出素子を有している。例文帳に追加

The X-ray detector (401, 501, 601) comprises a sensing element having a semiconductor heterostructure in which an undoped germanium layer (402, 502) is sealed between two gallium arsenide layers (403, 404, 503, 505) doped on the opposite side. - 特許庁

実際のアンチモンのイオン注入の際には、酸化膜を介して所望のドーズ量（イオン注入条件）でアンチモンのイオン注入を行い、この酸化膜を回収しＩＣＰ−ＭＳにより分析して、アンチモンのイオン注入の際に同時に打ち込まれた砒素の量（濃度）を検出する。例文帳に追加

When antimony ions are implanted actually, the antimony ions are implanted in a desired dosage (ion-implantation conditions) through the oxide film, the oxide film is recovered and analyzed by the ICP-MS, and the quantity (the concentration) of arsenic simultaneously implanted is detected when antimony ions are implanted. - 特許庁