窒化ガリウムインジウムの英語

窒化チタン膜１２の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体領域１４、窒化ガリウムインジウムから成る活性層１５、窒化ガリウムから成るｐ形半導体領域１６を順次に形成する。例文帳に追加

Then, an n-type semiconductor area 14 made of gallium nitride, active layer 15 made of gallium nitride indium, and p-type semiconductor area 16 made of gallium nitride are successively formed on the titanium nitride film 12. - 特許庁

超格子ＤＢＲ層１２の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体領域１３、窒化ガリウムインジウムから成る活性層１４、窒化ガリウムから成るｐ形半導体領域１５を順次に形成する。例文帳に追加

An n-type semiconductor region 13 of gallium nitride, an active layer 14 of gallium indium nitride, and a p-type semiconductor region 15 of gallium nitride are sequentially formed on the superlattice DBR layer 12. - 特許庁

バッファ層１２の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体層１３、窒化ガリウムインジウムからなる活性層１４、窒化ガリウムから成るｐ形半導体層１５を順次に形成する。例文帳に追加

Then an n-type gallium nitride semiconductor layer 13, a gallium - indium nitride active layer 14, and a p-type gallium nitride semiconductor layer 15 are successively formed on the buffer layer 12. - 特許庁

バッファ層１２の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体層１３、窒化ガリウム インジウムからなる活性層１４、窒化ガリウムから成るｐ形半導体層１５を順次に形成する。例文帳に追加

Then an n-type gallium nitride semiconductor layer 12, a gallium - indium nitride active layer 14, and a p-type gallium nitride semiconductor layer 15 are successively formed on the buffer layer 12. - 特許庁

バッファ層１２の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体領域１３、窒化ガリウムインジウムからなる活性層１４、窒化ガリウムから成るｐ形半導体領域１５を順次に形成する。例文帳に追加

Then an n-type gallium nitride semiconductor region 13, a gallium - indium nitride active layer 14, and a p-type gallium nitride semiconductor region 15 are successively formed on the buffer layer 12. - 特許庁

バッファ層１３の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体領域１４、窒化ガリウムインジウムからなる活性層１５、窒化ガリウムから成るｐ形半導体領域１６を順次に形成する。例文帳に追加

An n type semiconductor region 14 made of gallium an active layer 15 made of gallium, a p type semiconductor region 16 made of gallium nitride are successively formed on the buffer layer 13. - 特許庁

ＤＢＲ層１２の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体領域１４、窒化ガリウムインジウムから成る発光層１５、窒化ガリウムから成るｐ形半導体領域１６を順次に形成する。例文帳に追加

An n-type semiconductor area 14 made of gallium nitride, a light emitting layer 15 made of gallium indium nitride and a p-type semiconductor area 16 made of gallium nitride are formed in sequence on the DBR layer 12. - 特許庁

ＤＢＲ反射層１２の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体領域１４、窒化ガリウムインジウムから成る発光層１５、窒化ガリウムから成るｐ形半導体領域１６を順次に形成する。例文帳に追加

An n-type semiconductor region 14 formed of gallium nitride, a light emitting layer 15 formed of gallium nitride indium, and a p-type semiconductor region 16 formed of gallium nitride, are formed on the DBR reflection layer 12 one by one. - 特許庁