「窒化ガリウムインジウム」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

窒化アルミニウム含有膜の製造方法、窒化ガリウム含有膜の製造方法、窒化アルミニウムガリウム含有膜の製造方法、及び窒化アルミニウムガリウムインジウム含有膜の製造方法。例文帳に追加

METHODS FOR PRODUCING ALUMINUM NITRIDE-CONTAINING FILM, GALLIUM NITRIDE-CONTAINING FILM, ALUMINUM GALLIUM NITRIDE-CONTAINING FILM, AND ALUMINUM GALLIUM INDIUM NITRIDE-CONTAINING FILM - 特許庁

窒化チタン膜１２の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体領域１４、窒化ガリウムインジウムからなる活性層１５、窒化ガリウムから成るｐ形半導体領域１６を順次に形成する。例文帳に追加

An N-type semiconductor region 14 composed of gallium nitride, an active layer 15 composed of gallium indium nitride and a P-type semiconductor region 16 composed of gallium nitride are formed in order on the titanium nitride layer 12. - 特許庁

窒化チタン膜１２の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体領域１４、窒化ガリウムインジウムから成る活性層１５、窒化ガリウムから成るｐ形半導体領域１６を順次に形成する。例文帳に追加

Then, an n-type semiconductor area 14 made of gallium nitride, active layer 15 made of gallium nitride indium, and p-type semiconductor area 16 made of gallium nitride are successively formed on the titanium nitride film 12. - 特許庁

超格子ＤＢＲ層１２の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体領域１３、窒化ガリウムインジウムから成る活性層１４、窒化ガリウムから成るｐ形半導体領域１５を順次に形成する。例文帳に追加

An n-type semiconductor region 13 of gallium nitride, an active layer 14 of gallium indium nitride, and a p-type semiconductor region 15 of gallium nitride are sequentially formed on the superlattice DBR layer 12. - 特許庁

バッファ層１２の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体層１３、窒化ガリウムインジウムからなる活性層１４、窒化ガリウムから成るｐ形半導体層１５を順次に形成する。例文帳に追加

Then an n-type gallium nitride semiconductor layer 13, a gallium - indium nitride active layer 14, and a p-type gallium nitride semiconductor layer 15 are successively formed on the buffer layer 12. - 特許庁

バッファ層１２の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体層１３、窒化ガリウム インジウムからなる活性層１４、窒化ガリウムから成るｐ形半導体層１５を順次に形成する。例文帳に追加

Then an n-type gallium nitride semiconductor layer 12, a gallium - indium nitride active layer 14, and a p-type gallium nitride semiconductor layer 15 are successively formed on the buffer layer 12. - 特許庁

バッファ層１２の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体領域１３、窒化ガリウムインジウムからなる活性層１４、窒化ガリウムから成るｐ形半導体領域１５を順次に形成する。例文帳に追加

Then an n-type gallium nitride semiconductor region 13, a gallium - indium nitride active layer 14, and a p-type gallium nitride semiconductor region 15 are successively formed on the buffer layer 12. - 特許庁

バッファ層１３の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体領域１４、窒化ガリウムインジウムからなる活性層１５、窒化ガリウムから成るｐ形半導体領域１６を順次に形成する。例文帳に追加

An n type semiconductor region 14 made of gallium an active layer 15 made of gallium, a p type semiconductor region 16 made of gallium nitride are successively formed on the buffer layer 13. - 特許庁

ＤＢＲ層１２の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体領域１４、窒化ガリウムインジウムから成る発光層１５、窒化ガリウムから成るｐ形半導体領域１６を順次に形成する。例文帳に追加

An n-type semiconductor area 14 made of gallium nitride, a light emitting layer 15 made of gallium indium nitride and a p-type semiconductor area 16 made of gallium nitride are formed in sequence on the DBR layer 12. - 特許庁

ＤＢＲ反射層１２の上に窒化ガリウムから成るｎ形半導体領域１４、窒化ガリウムインジウムから成る発光層１５、窒化ガリウムから成るｐ形半導体領域１６を順次に形成する。例文帳に追加

An n-type semiconductor region 14 formed of gallium nitride, a light emitting layer 15 formed of gallium nitride indium, and a p-type semiconductor region 16 formed of gallium nitride, are formed on the DBR reflection layer 12 one by one. - 特許庁

ガリウム、インジウム、窒素、砒素及びアンチモンを含みより優れた結晶性を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を含む半導体光デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor optical device including a III-V compound semiconductor layer containing gallium, indium, nitrogen, arsenic, and antimony, and has an excellent crystallinity. - 特許庁

シリコン短周期ヘビードープの窒化アルミニウムガリウムインジウム成長超格子構造は窒化インジウムガリウム／窒化ガリウム多重量子井戸構造発光ダイオードの低電気抵抗値のｎ型コンタクト層とされる短周期超格子デジタルコンタクト層を具備する。例文帳に追加

An aluminum nitride gallium indium growth superlattice structure of silicon minor cycle heavy dope includes the minor cycle superlattice digital contacting layer which is used as an n-type contacting layer of the low electric resistance value of an indium nitride gallium/gallium nitride multiquantum well structure light emitting diode. - 特許庁

亜鉛、マグネシウム、ベリリウムから選択された金属原子を添加したｐ型窒化ガリウム又はｐ型窒化ガリウムインジウムに、酸化ルテニウム、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化鉄、酸化クロム、酸化ロジウム、酸化イリジウムから選択された助触媒を担持させることによって、光による水分解用触媒を構成する。例文帳に追加

The optical water decomposition catalyst is prepared by causing a promoter selected from ruthenium, nickel, cobalt, iron, chromium, rhodium and iridium oxides to be supported by a type-p potassium nitride or a type-p gallium indium nitride loaded with metal atoms selected from zinc, magnesium and beryllium. - 特許庁