窒化ゲルマニウムの英語

半導体基体の材料は、炭化珪素、窒化ガリウム、ダイヤモンドのいずれでも良いし、ヘテロ半導体領域の材料は、シリコン、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム、ガリウムヒ素のいずれでも良い。例文帳に追加

A material of the semiconductor base material may be selected from silicon carbide, gallium nitride, and diamond, and a material of the hetero semiconductor region may also be selected from silicon, silicon germanium, germanium, and gallium arsenic. - 特許庁

誘電体膜の品質を向上し、同時によりコスト削減効果が高い製造工程を達成するために、ゲルマニウム基板１とハンドル基板５の間に誘電体層７として酸窒化ゲルマニウム層を設ける。例文帳に追加

In order to improve the dielectric film quality and to simultaneously achieve a manufacturing method that reduces costs more effectively, a germanium oxynitride layer is provided as a dielectric layer 7 between the germanium substrate 1 and the handle substrate 5. - 特許庁

ポリシリコン層と窒化タングステン層との間に形成される層は、シリコン窒化タングステン層またはシリコンゲルマニウム層であってもよい。例文帳に追加

A layer to be formed between the polysilicon layer and the tungsten nitride layer can be a silicon tungsten nitride layer or a silicon germanium layer. - 特許庁

半導体製造プロセス中でゲルマニウム構造体を選択的に形成する方法は、化学的酸化物除去（ＣＯＲ）プロセスにおいて自然酸化物を除去し、次いで、加熱された窒化物及び酸化物表面を加熱されたゲルマニウム含有ガスに曝して、ゲルマニウムを選択的に窒化物表面上にだけ形成し、酸化物表面上には形成しない。例文帳に追加

A method of selectively forming a germanium structure within semiconductor manufacturing processes removes the native oxide in a chemical oxide removal (COR) process and then exposes the heated nitride surface and a oxide surface to a heated germanium containing gas to selectively form germanium only on the nitride surface but not the oxide surface. - 特許庁

半導体製造プロセス中でゲルマニウム構造体を選択的に形成する方法は、化学的酸化物除去（ＣＯＲ）プロセスにおいて自然酸化物を除去し、次いで、加熱された窒化物及び酸化物表面を加熱されたゲルマニウム含有ガスに曝して、ゲルマニウムを選択的に窒化物表面上にだけ形成し、酸化物表面上には形成しない。例文帳に追加

In a method for selectively forming a germanium structure in a semiconductor manufacturing process, a native oxide is removed in a chemical oxide removing (COR) process, then surfaces of heated nitride and oxide are exposed to a germanium-containing gas to selectively form the germanium only on the surface of the nitride, not on the surface of the oxide. - 特許庁

ゲルマニウム基板上にシリコン酸化物やシリコン酸窒化物などの誘電層を堆積するための方法を提供する。例文帳に追加

To provide methods for depositing dielectric layers, such as, silicon oxides or silicon oxynitrides, on germanium substrates. - 特許庁

蛍光体材料として高品質で高輝度のゲルマニウムドープ窒化ガリウム結晶を低コストで容易に安定的に得る。例文帳に追加

To easily and stably obtain high luminance germanium-doped gallium nitride crystals of high quality as a phosphor material at a low cost. - 特許庁

特定の実施形態において、ゲルマニウム基板の窒化が、バリア層として機能するＧｅ_ｘＮ_ｙ層を形成する。例文帳に追加

In some embodiments, nitriding of the germanium substrate forms a Ge_xN_y layer which functions as a barrier layer. - 特許庁