窒化ケイ素層を半導体基板上に形成するステップと、含窒素イオンを前記窒化ケイ素層へ注入するステップと、窒素が注入された前記窒化ケイ素層を熱アニールして層中のケイ素−窒素間の結合を促進するステップとを含む。例文帳に追加

The method includes a step of forming a silicon nitride layer on a semiconductor substrate, a step of injecting nitrogen-containing ions into the silicon nitride layer; and a step of accelerating bonding by heat annealing of the silicon and the nitrogen in the silicon nitride layer injected with nitrogen. - 特許庁

炭化ケイ素ＭＯＳＦＥＴは、ｎ型炭化ケイ素ドリフト層と、ｎ型炭化ケイ素ドリフト層内の間隔を置いて配置されたｐ型炭化ケイ素領域であって、内部にｎ型炭化ケイ素領域を有するｐ型炭化ケイ素領域と、窒化酸化物層とを有する。例文帳に追加

The silicon carbide MOSFET has an n-type silicon carbide drift layer, spaced-apart p-type silicon carbide regions existing in the n-type silicon carbide drift layer and having n-type silicon carbide regions therein, and a nitrided oxide layer. - 特許庁

カラーフィルタ２は窒化ケイ素からなっており、窒化ケイ素層２１と空気層２２とからなる多層膜構造を備えている。例文帳に追加

A color filter 2 comprises silicon nitride and has a multilayer film structure consisting of silicon nitride layers 21 and air layers 22. - 特許庁

希土類チタネート高温耐腐食層を有する窒化ケイ素セラミックス例文帳に追加

SILICON NITRIDE CERAMIC HAVING RARE EARTH TITANATE HIGH TEMPERATURE CORROSION RESISTANT LAYER - 特許庁

高温耐水蒸気腐食層を有する窒化ケイ素セラミックス例文帳に追加

SILICON NITRIDE CERAMIC HAVING STEAM CORROSION RESISTANT LAYER AT HIGH TEMPERATURE - 特許庁

コンフォーマルな窒化ケイ素層を、基板の上に、またボイド中に形成する。例文帳に追加

A conformal silicon nitride layer is formed on the substrate and in the voids. - 特許庁

希土類アルミネート系高温耐腐食層を有する窒化ケイ素セラミックス例文帳に追加

SILICON NITRIDE CERAMIC HAVING RARE EARTH ALUMINATE-BASED HIGH TEMPERATURE CORROSION RESISTANT LAYER - 特許庁

この窒化ケイ素層の除去後、ボイドは窒化ケイ素材料によって少なくとも部分的に充てんされている。例文帳に追加

After removing the silicon nitride layer, the voids are at least partially filled with a silicon nitride material. - 特許庁

活性多結晶シリコンからなる半導体層１２と、酸化ケイ素からなる絶縁層６との間に窒化ケイ素からなる界面層５を設けている。例文帳に追加

An interface layer 5 comprising a silicon nitride is provided between a semiconductor layer 12 comprising an active polycrystalline silicon and an insulating layer 6 comprising silicon oxide. - 特許庁

ｉ層部分での高光バンドギャップの材料として、非晶質窒化ケイ素水素、非晶質酸化ケイ素水素、非晶質窒化炭素水素、非晶質窒化ケイ素炭素水素、或いは非晶質炭素水素などを使用している。例文帳に追加

High optical band gap material at the i-layer part includes amorphous silicon nitride hydrogen, amorphous silicon oxide hydrogen, amorphous carbon nitride hydrogen, amorphous silicon nitride carbon hydrogen, and amorphous carbon hydrogen. - 特許庁

セラミックス基板が、窒化アルミニウム基板又は窒化ケイ素基板である該セラミックス二層回路基板。例文帳に追加

The ceramic board is an aluminum nitride board or a silicon nitride board. - 特許庁

本発明は、二酸化ケイ素層と窒化ケイ素層を同時に有する電子基板から窒化ケイ素を除去する工程において、窒化ケイ素のエッチングを高選択的に行い、かつエッチング後に析出物が発生しないエッチング液を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an etchant by which etching of silicon nitride is highly selectively performed without generating deposits after etching, in a step of removing silicon nitride from an electronic substrate having both a silicon dioxide layer and a silicon nitride layer. - 特許庁

黒鉛坩堝本体の表面に、黒鉛坩堝本体から表層に向かって順に炭化ケイ素層及び窒化ケイ素層からなる被覆膜を有し、前記窒化ケイ素層は、表層側から黒鉛坩堝本体に向かって窒化ケイ素の濃度が漸次低下する傾斜組成を有する、特に窒化ケイ素粉末製造のために用いる坩堝。例文帳に追加

In this crucible used for manufacturing, in particular, the silicon nitride powder, a covering film formed of a silicon carbide layer and a silicon nitride layer in this order from a graphite crucible body to a surface layer is formed on the surface of the graphite crucible body, and the silicon nitride layer includes an inclined composition having the concentration of the silicon nitride gradually reduced toward the graphite crucible body from the surface layer side. - 特許庁

炭化ケイ素質基材の表面に、アンダーコートとして金属ケイ素、ケイ素窒化物およびケイ素酸化物のうちから選ばれるいずれかの組み合わせに係るケイ素系サーメットの被覆層を設け、そのアンダーコートの上にトップコートとして、ジルコニアを含むセラミックスの被覆層を設けたこと。例文帳に追加

A silicon-based cermet coating layer relating to any combination selected from metal silicon, silicon nitride and silicon oxide is applied as an undercoat on the surface of a silicon carbide substrate, and then a ceramic coating layer containing zirconia is applied as a topcoat on the undercoat. - 特許庁

誘電体構造として酸窒化ケイ素層を有する炭化ケイ素用のコンデンサおよび内部接続構造もまた提供される。例文帳に追加

Capacitors and interconnection structures for silicon carbide having silicon oxynitride layer as a dielectric structure are also provided. - 特許庁

分布反射型ミラー７を構成する２層は酸化ケイ素及び窒化ケイ素とすることで、耐湿性に優れた保護膜とすることができる。例文帳に追加

Since the two layers of the distributed Bragg reflection mirror 7 are made of silicon oxide and silicon nitride, the protective film can be excellent in humidity resistance. - 特許庁

炭化ケイ素基板１１の表面にアルミ窒化ガリウム／窒化ガリウム層１２（III−Ｖ族窒化物半導体層）を形成する。例文帳に追加

An aluminum gallium nitride/gallium nitride layer 12 (a III-V nitride semiconductor layer) is formed on a surface of a silicon carbide substrate 11. - 特許庁

本方法は、窒化ホウ素の層（２０）と、ケイ素添加窒化ホウ素の層（３０）と、窒化ケイ素の層（４０）と、炭素の層（５０）とを具備する被覆膜を蒸着することを更に含む。例文帳に追加

In the method for manufacturing the ceramic matrix composite, a coating film having a layer (20) of boron nitride, a layer (30) of silicon-doped boron nitride, a layer (40) of silicon nitride and a layer (50) of carbon is vapor-deposited. - 特許庁

第二マスク層を使用して、窒化ケイ素層をエッチングし、ナノインプリンティング原版が完成する。例文帳に追加

The silicon nitride layer is etched by using the second mask layer to complete the nanoinprinting original plate. - 特許庁

また、窒化層にはケイ素とマンガンとを含有する窒化物が析出しており、該窒化物の量は面積率で１％以上２０％以下である。例文帳に追加

Nitride including silicon and manganese is deposited on the nitriding layer, and quantity of nitride is set to 1-20% in the area ratio. - 特許庁

無機物としては、窒化アルミニウム焼結体と同一の組成からなる材料、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素及び酸化イットリウムから選ばれる１種が金属化層のクラック防止に効果的である。例文帳に追加

The inorganic matter effective for inhibiting cracks in the metallization layer is chosen from a material comprising a composition same as that of the sintered compact, aluminum nitride, silicon nitride, silicon carbide and yttrium oxide. - 特許庁

窒化ケイ素層２０ｇ、２０ｂ、２０ｒ及び２１はその周縁部において支持部２３に支持されている。例文帳に追加

The silicon nitride layers 20g, 20b, 20r and 21 are supported on the peripheral part by a support part 23. - 特許庁

窒化ケイ素保護層を備えた石英、グラファイト又はセラミック溶融ポットであって、該層は粒子を含んで成る窒化ケイ素粉末から成り、そして該窒化ケイ素粉末は０．３重量％乃至５重量％の酸素含有率を有しそしてその長さ対直径比が＜１０であることを特徴とする。例文帳に追加

The melting pot of graphite, a ceramic or quartz includes a silicon nitride protective layer, wherein the layer consists of a silicon nitride powder including particles, and the silicon nitride powder has 0.3% to 5% by weight of an oxygen rate of content and the length to diameter ratio is <10. - 特許庁

そして、表層部１を構成する緻密な窒化ケイ素の密度よりも、内部２を構成する多孔質窒化ケイ素の密度の方が小さく、転動体全体としての密度は表層部１を構成する緻密な窒化ケイ素の密度の９０％以下となっている。例文帳に追加

The density of the porous silicon nitride to constitute the internal part 2 is smaller than the density of the dense silicon nitride to constitute the facial layer 1, and the density of the whole rolling element is equal to or less than 90% of the density of the dense silicon nitride to constitute the facial layer 1. - 特許庁

複合層２０は、ケイ素含有の化合物、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、あるいは、それらの混合物である誘電材料１６と、相変化物質、窒素をドープした相変化物質、あるいは、酸素をドープした相変化物質である低熱伝導材料１８、との交錯層、あるいは、混合層である。例文帳に追加

The composite layer 20 is a complex layer or a mixed layer of the dielectric material 16 which is a silicon-containing compound, for example, silicon oxide, silicon nitride or a mixture of them, and the low heat-conducting material 18 which is a phase change material, a phase change material doped with nitrogen, or a phase change material doped with oxygen. - 特許庁

本発明の金属触媒担持粒子は、炭化ケイ素粒子または窒化ケイ素粒子の表面に、銀触媒粒子のみ、または、銀触媒粒子及び銀を除く貴金属からなる触媒粒子を担持させ、その後、酸化性雰囲気中にて酸化することにより、この炭化ケイ素粒子または窒化ケイ素粒子の表面に、結晶性の酸化ケイ素層を生成した。例文帳に追加

The metal catalyst support particle is configured such that a catalyst particle consisting of a silver catalyst only or a noble metal excluding a silver catalyst particle and silver is supported on the surface of a silicon carbide particle or a silicon nitride particle, and a crystalline silicon dioxide layer is then created on the surface of the silicon carbide particle or silicon nitride particle by oxidizing the catalyst particle in an oxidizing atmosphere. - 特許庁

このホトダイオードは、Ｎ^+シリコン基板、Ｎ^+シリコン基板上に形成された窒化ケイ素層、窒化ケイ素層上に形成された再酸化窒化物層、および再酸化窒化物層の少なくとも一部分上に形成されたＮ^+ポリシリコン層を含む。例文帳に追加

This photodiode includes an N+ silicon substrate, a silicon nitride layer formed on the N+ substrate, re-oxidized nitride layer formed on the silicon nitride layer, N+ polysilicon layer formed at least on a part of the re-oxidized nitride layer. - 特許庁

ガスバリア層は、無機酸化物又は無機窒化物（好ましくはケイ素酸化物、ケイ素窒化物又はアルミニウム酸化物）の蒸着膜から形成するとよい。例文帳に追加

The gas barrier layer may be formed of a vapor deposition film of an inorganic oxide or an inorganic nitride (preferably silicon oxide, silicon nitride or aluminum oxide). - 特許庁

シリコン含有化合物と窒素含有化合物とを反応させることにより窒化ケイ素層２０４を形成する。例文帳に追加

A silicon-contained compound is reacted with a nitride-contained compound to form a silicon nitride layer 204. - 特許庁

窒化ケイ素ライナの付着前に絶縁酸化物層２０を付着させることにより、窒化ケイ素ライナ４３と活性シリコン側壁との距離を増加する。例文帳に追加

A distance between a silicon nitride liner 43 and an active silicon sidewall is increased by depositing an insulation oxide layer 20 prior to depositing of the silicon nitride liner 43. - 特許庁

正のζ電位を有するコロイダルシリカ粒子と、アニオン性界面活性剤とを含み、且つｐＨが１．５〜７．０の範囲である研磨液を用いて、ポリシリコン又は変性ポリシリコンを含む第１層と、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭窒化ケイ素、酸化炭化ケイ素、及び酸窒化ケイ素からなる群より選択される少なくとも１種を含む第２層とを少なくとも有して構成される被研磨体を研磨する化学的機械的研磨方法。例文帳に追加

The chemical mechanical polishing method uses polishing liquid containing colloidal silica particles having a positive ζ potential and anionic surfactant and having pH ranging 1.5-7.0 to polish the body to be polished at least including a first layer containing polysilicon or modified polysilicon and a second layer containing at least one selected from a group consisting of silicon oxide, silicon nitride, silicon carbonate, silicon carbonitride, silicon carbide and silicon oxynitride. - 特許庁

第一の耐酸化マスク層６０４を使用して、窒化ケイ素層１０４に堆積させたＤＬＣ層６０２をパターニングする。例文帳に追加

A DLC layer 602 deposited on the silicon nitride layer 104 is patterned by using a first oxidation-resistant mask layer 604. - 特許庁

本工程は、二重嵌入銅構造を備える二重嵌入開口部を酸化ケイ素層及び多重窒化ケイ素停止層で構成される複合絶縁層に形成する工程を提供する。例文帳に追加

In this process, a double-fitting opening part with double-fitting copper structure is formed in a composite insulation layer, consisting of a silicon oxide layer and a multiple silicon nitride stop layer. - 特許庁

一方、赤色の光を選択的に透過させる多層膜２４ｒと、青色の光を選択的に透過させる多層膜２４ｂとは、窒化ケイ素層をスペーサ層２０ｒ、２０ｂとしており、その上下にそれぞれ窒化ケイ素層２１を２層と空気層２２を２層備えている。例文帳に追加

Meanwhile, a multilayer film 24r which selectively transmits red light and a multilayer film 24b which selectively transmits blue light have silicon nitride layers as spacer layers 20r, 20b and are provided with two layers of silicon nitride layers 21 and two layers of air layers 22 respectively on upper and lower sides of the spacer layers 20r, 20b. - 特許庁

そして、このクラッド層２４に高温の炭素やケイ素あるいは窒息の化合物ガスの雰囲気に置くことにより炭素やケイ素や窒素を金属格子に侵入させる侵炭処理や侵ケイ処理，窒化処理を行なってその表層部あるいは全層をセラミック化する。例文帳に追加

Carburizing treatment, silicifying treatment, nitriding treatment for intruding carbon, silicon and nitrogen into a metal grid while placing the clad layer 24 in the atmosphere of the high temperature compound gas of carbon, silicon or nitrogen so as to form a surface layer or the whole layer into ceramic. - 特許庁

第１の窒化ケイ素層および誘電層は堆積層の側壁上の内側スペースを形成するように逐次エッチングされる。例文帳に追加

The first silicon nitride layer and the dielectric layer are sequentially etched so as to form an inner spacer on the sidewall of the stacked layer. - 特許庁

半導体をコーティングする二酸化ケイ素もしくは窒化ケイ素上にロジン樹脂およびワックスを含むホットメルトインクレジストを選択的に堆積させ、次いで二酸化ケイ素もしくは窒化ケイ素層のコーティングされていない部分を無機酸エッチング剤でエッチングして半導体を露出させ、同時にホットメルトインクレジストのアンダーカットを阻害することを含む。例文帳に追加

The method involves selectively depositing a hot melt ink resist containing rosin resins and waxes on a silicon dioxide or silicon nitride layer coating a semiconductor, followed by etching uncoated portions of the silicon dioxide or silicon nitride layer with an inorganic acid etchant to expose the semiconductor and simultaneously inhibit undercutting of the hot melt ink resist. - 特許庁

基板１は、サファイア、炭化ケイ素、シリコン、または窒化ガリウムのうちのいずれか１種を用い、窒化物半導体層は窒化ガリウム、窒化アルミニウム、または窒化インジウムのうちより選択される１種以上を含む窒化物半導体層よりなる構成の窒化物半導体素子とする。例文帳に追加

For the substrate 1, any one among sapphire, silicon carbide, silicon, or gallium nitride is used; and the nitride semiconductor layer includes at least one selected from among gallium nitride, aluminum nitride, or indium nitride. - 特許庁

センサは、センサの後縁上で、およびセンサ後縁に隣接する下遮蔽層の領域上で、約２〜５ｎｍの厚さを有する第２の窒化ケイ素層と、第２の窒化ケイ素層上の実質的により厚い金属酸化物層とを有する。例文帳に追加

The sensor has a second silicon nitride layer having the thickness of about 2 to 5 nm on a rear edge of the sensor and on the region of the bottom shielding layer adjacent to the rear edge of the sensor and a metal oxide layer being substantially thicker on the second silicon nitride layer. - 特許庁

オキシ窒化ケイ素層の反射防止能力の低下を防止することができるフォトレジスト層の再処理方法を提供すること。例文帳に追加

To provide the method of reprocessing photoresist layers for preventing reflection prevention capability from being reduced in an oxysilicon nitride layer. - 特許庁

オキシ窒化ケイ素層の保護により、低誘電率有機材料層の断面形状のゆがみを防止することができる。例文帳に追加

Through the protection of the oxygennitride silicon layer, distortion of a cross-sectional shape of the organic material layer is prevented. - 特許庁

二酸化ケイ素や窒化ケイ素など非常に薄い低応力誘電体材料と半導体層とで形成された可とう性の膜で集積回路（２４、２６、２８、．．．３０）を製造する汎用手法を提供する。例文帳に追加

To provide a versatile method for manufacturing an integrated circuit by a flexible film formed by an extremely thin stress reducing dielectric material such as silicon dioxide and silicon nitride and a semiconductor layer. - 特許庁

セル隔壁10の少なくとも一部の細孔11の表面に、炭化ケイ素又は窒化ケイ素から選ばれる少なくとも一種からなる熱伝導層２を形成した。例文帳に追加

In the honeycomb structure a heat-conductive layer 2 comprising at least one member selected from silicon carbide and silicon nitride is formed on the surfaces of at least part of pores 11 of intercellular partitions 10. - 特許庁

金属膜18ａはアルミニウムで形成され、セラミック膜18ｂは窒化ケイ素で形成され、吸湿層19は酸化マグネシウムで形成されている。例文帳に追加

The metal film 18a is formed of aluminum, and the ceramic film 18b is formed of silicon nitride, and the moisture absorbing layer 19 is formed of magnesium oxide. - 特許庁