窒化ジルコニウムの英語

二酸化ジルコニウムまたは水酸化ジルコニウムと、酸化マグネシウムと、金属マグネシウムとの混合物を、窒素ガスまたは窒素ガスを含む不活性ガス気流中６５０〜８００℃で焼成する工程を経て、Ｘ線回折プロファイルにおいて、低次酸化ジルコニウムのピークと窒化ジルコニウムのピークを有し、比表面積が１０〜６０ｍ^２／ｇである微粒子低次酸化ジルコニウム・窒化ジルコニウム複合体を製造する。例文帳に追加

The fine particle lower zirconium oxide-zirconium nitride composite having the peak of lower zirconium oxide and the peak of zirconium nitride in the X-ray diffraction profile and 10-60 m^2/g specific surface area is obtained through a step for firing a mixture of zirconium dioxide or zirconium hydroxide, magnesium oxide and metal magnesium under an inert gas flow at 650-800°C. - 特許庁

また上記窒化ジルコニウム導体層の厚さが３〜２５μｍであることが好ましい。例文帳に追加

The zirconium nitride conductor layer preferably has a thickness of 3-25 μm. - 特許庁

従来技術の欠点を有していない、窒化ジルコニウム被膜の新規な製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a novel method for producing a zirconium nitride film, which is free from disadvantages of conventional technology. - 特許庁

工具基体表面上に、炭窒酸化チタンジルコニウム層と炭窒化ジルコニウム層からなる複層構造の層を単位層又は／及び炭窒酸化チタンジルコニウム層と炭窒酸化ジルコニウム層とからなる複層構造の層を単位層とし、前記単位層を工具基体上に少なくとも１単位層以上被覆していることを特徴とする多層被覆工具である。例文帳に追加

A multilayer covering tool is featured that a layer having a diploid structure consisting of a titanium zirconium carbonitroxide layer and a zirconium carbonitride layer forms a unit layer and/or a layer having a diploid structure consisting of a titanium zirconium carbonitroxide layer and a zirconium carbonitroxide layer forms a unit layer and a tool substrate is covered by at least one unit layer. - 特許庁

複合金属化合物の窒化物は、窒化アルミニウムチタン、窒化クロムチタン、窒化ジルコニウムチタン、炭窒化チタンである。例文帳に追加

The nitride of the composite metal compound is aluminum-titanium nitride, chromium-titanium nitride, zirconium-titanium nitride, or titanium carbide-nitride. - 特許庁

工具基体表面上に、炭窒化チタンジルコニウム層と炭窒化ジルコニウム層とから構成される複層構造の単位層を少なくとも一単位層以上被覆していることを特徴とする多層被覆工具である。例文帳に追加

A surface of a tool base is coated with at least one or more unit layer having a multilayer structure composed of a titanium zirconium carbonitride layer and a zirconium carbonitride layer. - 特許庁

かかる合金は、生成微細炭窒化チタン−ジルコニウム析出物が溶融時の合金中におけるその限界溶解度に近くなるようにするのに十分な量のチタン、ジルコニウム、炭素及び窒素を含む。例文帳に追加

The alloy contains a sufficient amount of titanium, zirconium, carbon and nitrogen so that fine titanium-zirconium carbonitride precipitates are near their solubility limit in the alloy when molten. - 特許庁

チタン（Ｔｉ）が介在することにより、基板１への硼化ジルコニウム・チタン層２の成長性および硼化ジルコニウム・チタン層２への窒化ガリウム系化合物半導体の成長性が改善される。例文帳に追加

Thus, it is possible to improve the growth property of the zirconium boride titanium layer 2 to the substrate 1, and the growth boride of a gallium nitride system compound semiconductor to the zirconium boride titanium layer 2 by interposing titanium (Ti). - 特許庁