solubility limitとは 意味・読み方・使い方

Nitrogen is then degassed from rinse liquid thus produced by means of degassing units 59 and 79 such that nitrogen contained in the rinse liquid becomes below solubility limit thus producing degassed rinse liquid.例文帳に追加

そして、この生成されたリンス液は脱気ユニット５９、７９によってリンス液に含まれる窒素が溶解限度以下になるように、リンス液から窒素の一部が脱気されることで脱気済リンス液が生成される。 - 特許庁

At that time, the amount of the aqueous solution introduced into the composition exceeds by less than 3% based on the weight of the composition after addition of the solution over the limit value of the mutual solubility of water in the organic solvent.例文帳に追加

その際、組成物中へ導入される水溶液の量は、有機溶媒中の水の相互溶解度の限界値より、同水溶液を加えた後の組成物の重量に対して更に３％未満さらに上回る量である。 - 特許庁

The Cu wiring 100 is formed with at least a Cu alloy 1 containing at least one of Ag, As, Bi, P, Sb, Si, or Ti with an amount not less than 0.1 wt.% and not larger than the maximum solid solubility limit for Cu.例文帳に追加

前記Ｃｕ配線１００は、Ａｇ、Ａｓ、Ｂｉ、Ｐ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｔｉのうち少なくとも１つを０．１重量％以上、Ｃｕに対する最大固溶限未満の範囲で含有するＣｕ合金１で構成されている。 - 特許庁

The objective photoresist lattice pattern having high resolution that reaches the critical limit of the optical exposure method is obtained at a high speed by utilizing high solubility of the multiply exposed portions 10 in a developing solution or insolubility of the unexposed portions 13 in the developing solution.例文帳に追加

多重露光部１０の現像液への高い溶解特性、または非感光部１３の現像液への非溶解性を利用して、高速性とともに、光学露光法の限界に達する微細解像特性をもつ格子パターンが得られる。 - 特許庁

This manufacturing method includes subjecting a composite wire rod consisting of an Al alloy containing more Si and Ge than the solid solubility limit in the equilibrium state and Nb, to rapid heating and quenching treatment in the state of the composite wire rod, to change an Al alloy core into a supersaturated solid solution.例文帳に追加

ＡｌにＳｉ、Ｇｅ等を平衡状態の固溶限を越えて添加した合金とＮｂとの複合線材において、複合線材のままの状態で急熱急冷処理することにより、Ａｌ合金芯を過飽和の固溶体に変える。 - 特許庁

The injection is continued further to introduce the carbon up to more than the solid solubility limit value of the catalyst metal, and then the substrate 20 is cooled down to room temperature to crystallize the carbon on the catalyst metal as nuclei, thus growing carbon nanotubes 23 on the surface of the substrate 20.例文帳に追加

さらに注入を続け、触媒金属の固溶限界値以上に炭素を導入した後、基体２０を室温まで冷却すると触媒金属を核として炭素が析出し、基体２０上面にカーボンナノチューブ２３を成長させることができる。 - 特許庁

The silicon substrate for manufacturing the diamond thin film containing at least one element selected from the group consisting of boron and carbon having the concentration above 1x10^16 atoms/cm^3 and below the concentration of the solubility limit and the diamond thin film electrode obtainable in such a manner are provided.例文帳に追加

１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上でかつ固溶限の濃度以下のホウ素および炭素よりなる群から選ばれた少なくとも１種の元素をシリコン中に含有してなるダイヤモンド薄膜製造用シリコン基板およびこのようにして得られるダイヤモンド薄膜電極。 - 特許庁

On the substrate processing system 100 side, pure water supplied from a pure water supply source 200 to a substrate processing system 100 contains nitrogen supersaturated by nitrogen dissolution units 58 and 78, thus producing rinse liquid containing nitrogen over solubility limit.例文帳に追加

純水供給源２００から基板処理装置１００に供給される純水は、基板処理装置１００側において、窒素溶解ユニット５８、７８によって純水に窒素が過飽和に添加されることで窒素が溶解限度を超えて含まれるリンス液が生成される。 - 特許庁