結晶方位依存性の英語

Hallによる実験は、薄い結晶におけるX線生成の結晶方位依存性に関するDuncumbの(実験)結果を裏付けた。例文帳に追加

The experiments by Hall confirmed Duncumb's results for the dependence of X-ray production on crystal orientation in the case of thin crystals.発音を聞く  - 科学技術論文動詞集

基板１０の第１及び第２の面１２，１４の両方から、結晶の面方位依存性があるエッチングを進める。例文帳に追加

Etching with surface direction dependency of a crystal is advanced from both the first and the second surfaces 12 and 14 of the substrate 10. - 特許庁

これは、エッチング速度に結晶面依存性があるため、多結晶Ｓｉウェハをエッチングすると、ウェハ表面に露出している各結晶粒の結晶方位面の違いによって段差が生じることが避けられず、精密な表面平坦化の障害となるためである。例文帳に追加

This is because, since the etching rate is crystal-face dependent, etching of the polycrystalline Si wafer inevitably results in formation of steps because of different crystal-face orientations of individual crystal grains exposed on a surface of the wafer, which hinders precision surface planarization. - 特許庁

デバイスとして望ましい方位における圧電特性の温度依存性を改善した圧電単結晶材料及びこの圧電単結晶材料を用いた圧電デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a piezoelectric single crystal material in which the temperature dependency of piezoelectric property in a direction desired for device is improved, and a piezoelectric device using the piezoelectric single crystal material. - 特許庁

面方位が（１００）であるシリコンウエハ（単結晶シリコン基板）１を用い、結晶方位依存性を利用した異方性ウエットエッチングを行うことにより、壁面１１ａの面方位が（１１１）である貫通穴１１を、形成する薄膜パターンに対応させた開口部として形成する。例文帳に追加

Performing anisotropic wet etching using crystal orientation dependence using a silicon wafer (a single-crystal silicon substrate) 1 whose face direction is (100), forms penetrating holes 11, whose wall surfaces 11a have face directions of (111), as opening parts correspond to the thin film pattern made to form. - 特許庁

結晶性を有する半導体層のウェットエッチングにおいて、半導体層のエッチング面方位依存性の有無に起因せずに所望なパターニングが容易な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a semiconductor device by which a desired patterning is facilitated irrespective of the presence of the etching-face azimuth dependency of a semiconductor layer in the wet etching of the semiconductor layer having crystallizability. - 特許庁

基板１０上にマスクパターン１１を形成し、まず、少なくとも ｛１１１｝Ｂ面を含む結晶の面方位に対して依存性を持たない等方性ウエットエッチングを行う。例文帳に追加

A mask pattern 11 is formed on a substrate 10 and an isotropic wet etching which does not have dependency is performed on the face orientation of crystal including at least a {111} B face. - 特許庁