結晶膜電極の英語

従来の単結晶、多結晶、薄膜太陽電池よりも透明電極と集電極との接合を良好にする。例文帳に追加

To improve junction between a transparent electrode and collector electrode more than that of a conventional thin film solar cell consisting of single crystal or polycrystal. - 特許庁

強誘電体薄膜の結晶化は下部電極に影響を受けて進行するとともに、下部電極側からの加熱によって結晶成長が下部電極側から始まって薄膜上部に至るので、結晶性が良好となる。例文帳に追加

The crystallization of the ferroelectric thin film proceeds while the lower electrode is affected, the crystal growth starts from the lower electrode side by heating from the lower electrode side and reaches the thin film upper portion, therefore, the crystallinity becomes good. - 特許庁

ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にフッ化シラン及びシランを用いて結晶核を形成し、前記結晶核を種として結晶成長させて微結晶半導体膜を形成して、ゲート絶縁膜及び微結晶半導体膜の界面における結晶性を高める。例文帳に追加

Crystallinity on the interface of a gate insulating film and a microcrystalline semiconductor film is enhanced by forming the gate insulating film on a gate electrode, forming crystalline nuclei on the gate insulating film by using silane fluoride and silane, and forming the microcrystalline semiconductor film by crystal growth using the crystalline nuclei as seeds. - 特許庁

結晶化させた後、第１の上部電極膜の上に、第１の上部電極膜よりも厚い導電性の第２の上部電極膜を形成する。例文帳に追加

After the crystallization, a second upper electrode film having conductivity with a thickness larger than that of the first upper electrode film is formed on the first upper electrode film. - 特許庁

その後、多結晶シリコン膜３、自然酸化膜４及び多結晶シリコン膜５をパターニングしてゲート電極部１１を形成する。例文帳に追加

Thereafter, a gate electrode 11 is formed by patterning the polycrystal silicon film 3, the naturally oxidized film 4 and polycrystal silicon film 5. - 特許庁

電極間絶縁膜３は、多結晶シリコン膜４ａの側壁から成膜されるものである。例文帳に追加

The insulating film 3 between electrodes is formed of sidewalls of the polycrystalline silicon films 4a. - 特許庁

ゲート絶縁膜に接する浮遊ゲート電極のシリコン膜を非単結晶のシリコン膜とする。例文帳に追加

A silicon film for a floating gate electrode adjacent to a gate insulating film is made to be a non-single crystal silicon film. - 特許庁

粗面多結晶シリコン膜を用いた電極を有する半導体装置において、前記粗面多結晶シリコン膜の下地膜としてアモルファスシリコンを結晶化させた膜が用いられた電極に誘電体膜を介して多結晶シリコン膜が積層されたキャパシタを設ける。例文帳に追加

In the semiconductor device with an electrode using a roughened- surface polycrystalline silicon film, a capacitor is installed through a dielectric film, in which the polycrystalline silicon film is laminated on an electrode in a film obtained by crystallizing amorphous silicon as the foundation film of the roughened-surface polycrystalline silicon film. - 特許庁