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能動領域の英語
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「能動領域」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 221件
そして、該コレクタ領域は、電界緩和領域に重なる領域と能動領域に重なる領域共に第二導電型のドーパントがあり、該電界緩和領域に重なる領域には該能動領域に重なる領域と比較して第二導電型のキャリアのキャリア密度が低い領域がある。例文帳に追加
The collector region has second conductivity type dopant in both a region overlapping a field relax region and a region overlapping an active region, and a region of second conductivity type carriers having a lower carrier density as compared with the region overlapping the active region exists in field relax region. - 特許庁
能動領域は、ＩＩＩ族窒化物をベースにした能動領域であってもよい。例文帳に追加
The active region may be a Group III nitride based active region. - 特許庁
ＰＤ１５Ａの能動領域は高く、ＡＰＤ１５Ｂの能動領域は低く設定している。例文帳に追加
The PD 15A is set in a high active region, and the APD 15B is set in a low active region. - 特許庁
固定電位拡散層１６で能動領域７ａを取り囲み、能動領域７ａ内にチャネル領域１５を形成する。例文帳に追加
An active region 7a is encircled with a fixed potential diffused layer 16, and channel regions 15 are formed in the region 7a. - 特許庁
発光デバイスは、複数の層を備える能動領域と、能動領域が配置されるピット開き領域とを含んでいる。例文帳に追加
Light emitting devices include an active region comprising a plurality of layers and a pit opening region on which the active region is disposed. - 特許庁
能動領域は複数の量子井戸層を備えている。例文帳に追加
The active region comprises a plurality of quantum wells. - 特許庁
冷却プレートを備える能動冷却領域が、加熱領域に対向して配設される。例文帳に追加
Further, an active cooling region having a cooling plate is opposed to the heating region. - 特許庁
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「能動領域」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 221件
これらのＦＥＴ１０，２０，３０，４０は、１つの能動領域Ｒ１（特定領域）内に設けられている。例文帳に追加
These FETs 10, 20, 30 and 40 are provided in one active region R1 (specific region). - 特許庁
光源接触部は、能動領域を有しない方が、また、素子分離領域であるのが好ましい。例文帳に追加
Preferably, the light source contact part 4 has no active region and is of a device isolation region. - 特許庁
このデバイスの表面構造の形成された領域が能動領域２である。例文帳に追加
The area with the surface structure of the device formed thereon is an active area 2. - 特許庁
このデバイスの表面構造の形成された領域が能動領域２である。例文帳に追加
The region with the device surface structure formed therein is an active region 2. - 特許庁
ｎ型能動領域１２ａにｐＭＯＳ負荷トランジスタＱｐ１、ｎ型能動領域１２ｂに負荷トランジスタＱｐ２が形成されている。例文帳に追加
A pMOS load transistor Qp1 is formed on an n-type active region 12a, and a load transistor Qp2 is formed on an n-type active region 12b. - 特許庁
能動領域５１上を開口することで、絶縁被膜付き導電粒子２５ａは能動領域５１に存在しなくなる。例文帳に追加
By opening the side on the active region 51, a conductive particle 25a with an insulating film does not exist in the active region 51. - 特許庁
駆動回路領域３は、各ドットに対応する能動素子を駆動する。例文帳に追加
The drive circuit area 3 drives active elements corresponding to each dot. - 特許庁
基板１０の一方の面１０ａに能動領域が設けられる。例文帳に追加
An active region is provided on one side 10a of a substrate 10. - 特許庁
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