量子転移の英語

さらに基板と発光層との間に量子井戸構造を設けることで転移が活性層に波及することを防ぎ特性改善を図ることができる。例文帳に追加

Moreover, locating a quantum well structure between the substrate and the light emitting layer allows preventing a transition from spreading to an active layer, thereby, the characteristic can be improved. - 特許庁

半導体素子内の貫通転移の密度を低減して、発光層の内部量子効率が高く且つ半導体素子の光取り出し効率が高い半導体素子を実現できるようにする。例文帳に追加

To achieve a semiconductor element wherein inner quantum efficiency of a light emitting layer is high and light acquiring efficiency of the semiconductor element is high by reducing density of a through transition inside the semiconductor element. - 特許庁

半導体上に作製される量子ドット列、または一般の固体において高い超伝導転移温度を実現し、かつ実現可能な格子形を提供する。例文帳に追加

To realize quantum dot array formed on a semiconductor or high superconductive transition temperature in a general solid substance, and provide a lattice type within reach. - 特許庁

さらに、フラクタル結合体に磁性不純物を添加して従来よりも強い量子カオスを発生させ、この過程を通してアンダーソン転移の制御を行う。例文帳に追加

Further, the quantum khaos stronger than heretofore is generated by adding a magnetic impurity to the fractal aggregate and the control of Anderson transport is executed through this process. - 特許庁

前記量子井戸層の光学的ゲイン特性はまわりの層の組成不均一、ドットサイズ分布、ドット密度、及び、転移形成のための臨界厚みを超えることなく活性領域内に配置可能なドットレイヤの数によって影響される。例文帳に追加

Optical gain characteristics of the quantum well layers are influenced by the compositional uniformity of surrounding layers, the dot size distribution, the dot density, and the number of layers of the dots that can be placed in an active region without exceeding a critical thickness for forming dislocation. - 特許庁