ＮＰＮトランジスタの英語

In this case, the emitter voltage of NPN transistors 131, 132 is lowered to be close to a ground level.例文帳に追加

またその際、NPNトランジスタ１３１およびNPNトランジスタ１３２のエミッタ電圧がグラウンドレベル付近まで低下する。 - 特許庁

When the emitter voltage of the NPN transistors 131, 132 in the differential amplifier 130 is reduced to be lower than reference voltage, a monitor control 120 outputs the signal of a logical value Low from an output terminal 141.例文帳に追加

監視制御部１２０は、差動増幅部１３０のNPNトランジスタ１３１およびNPNトランジスタ１３２のエミッタ電圧が基準電圧より低下すると、出力端子１４１より論理値Lowの信号を出力する。 - 特許庁

In the NPN transistor 17, as voltage inputted to the base is reduced, impedance between a collector and an emitter is made larger.例文帳に追加

NPNトランジスタ１７は、ベースに入力される電圧が低下するので、コレクタ−エミッタ間のインピーダンスが大きくなる。 - 特許庁

The mono- multi vibrator 16 outputs a rectangular wave of low of a prescribed period to a base of an NPN transistor 17.例文帳に追加

モノマルチバイブレータ１６は、所定の周期のlowの矩形波をNPNトランジスタ１７のベースに出力する。 - 特許庁

And when a signal outputted to the base of the NPN transistor 17 from the mono- multi vibrator 16 is restored to high, the impedance between the collector and the emitter is made smaller, and as the current inputted from the spindle driver 15 is made larger, the spindle motor 2 is rotated with the high acceleration.例文帳に追加

そして、モノマルチバイブレータ１６からのNPNトランジスタ１７のベースに出力される信号がhighに戻ると、NPNトランジスタ１７のコレクタ−エミッタ間のインピーダンスが小さくなり、スピンドルモータ２は、スピンドルドライバ１５から入力される電流が大きくなるので、高加速度で回転する。 - 特許庁

Since the insulating region 22 reduces a connecting area between base/emitter of a parasitic NPN transistor constituted of the source region 23, the body region 21 and a drift region 25, the amount of electron, poured from the source region 23 after the parasitic NPN transistor turns ON, is reduced.例文帳に追加

絶縁領域２２は、ソース領域２３とボディ領域２１とドリフト領域２５で構成される寄生のnpnトランジスタのベース・エミッタ間の接合面積を小さくするので、寄生のnpnトランジスタがオンした後にソース領域２３から注入される電子量を低減する。 - 特許庁

The drive circuit charges from a gate terminal (G) via a resistor (Rgon) by switching on an NPN gate-drive transistor (Q102) when switching on an IGBT (Q101), and discharges from the gate terminal (G) via a resistor (Rgoff) by switching on a PNP gate-drive transistor (Q103) when switching off the IGBT (Q101).例文帳に追加

駆動回路は、ＩＧＢＴ(Ｑ１０１)をオンさせるとき、ゲート駆動用NPNトランジスタ(Ｑ１０２)をオンさせることによって抵抗器(Rgon)を介してゲート端子(Ｇ)から充電し、ＩＧＢＴ(Ｑ１０１)をオフさせるとき、ゲート駆動用PNPトランジスタ(Ｑ１０３)をオンさせることによって抵抗器(Rgoff)を介してゲート端子(Ｇ)から放電させる。 - 特許庁