3酸化ヒ素の英語

多結晶シリコン膜３の成長前処理において，シリコン基板１上の自然酸化膜を除去するために、ヒ素ドープ多結晶シリコン膜３はエピタキシャル成長され、ヒ素ドープ単結晶シリコン膜５となる。例文帳に追加

In the pre-treatment of growth of the film 3, in order to eliminate a natural oxide film on the silicon substrate 1, the polycrystal silicon film 3 is epitaxially grown and turned into an arsenic-doped single crystal silicon film 5. - 特許庁

ボロン、ヒ素またはリンがドーパントとして1×10^19／cm^3以上の濃度に添加され、裏面にＣＶＤ酸化膜1が形成されたシリコン単結晶基板PWに対し、ＣＶＤ酸化膜1を残存させながら、シリコン単結晶基板PWの主表面上の酸化膜をフッ酸処理でウェットエッチングする（ステップS5）。例文帳に追加

In a silicon single crystal substrate PW wherein boron, arsenic or phosphorus is added as a dopant at a concentration of 1×10^19/cm^3 or more and a CVD oxide film 1 is formed on the back of the substrate PW, an oxide film thereof is wet-etched by hydrofluoric acid treatment while the CVD oxide film 1 is left as it is (step S5). - 特許庁

ゲート電極１４、酸化膜サイドウォール１５を形成後、ウエハ全面にアモルファス化のために、ヒ素をエネルギー４０ＫｅＶ、ドーズ量３×１０^14ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2で注入し、ゲート電極１４の表面にアモルファスシリコン層１９ａ、ソース・ドレイン領域の表面にアモルファスシリコン層１９ｂを形成する。例文帳に追加

After the formation of a gate electrode 14 and oxide film sidewalls 15, amorphous silicon layers 19a and 19b are respectively formed on the surfaces of the gate electrode 14 and a source drain region by implanting arsenic ions into the entire surface for making silicon into amorphous form at an energy of 40 keV and a dose of 3×1014 atoms/cm2. - 特許庁