Gunn effectとは 意味・読み方・使い方

GUNN EFFECT ELEMENT AND TRANSMITTER例文帳に追加

ガン効果素子及び送信機 - 特許庁

HETERO JUNCTION BIPOLAR GUNN EFFECT 4-TERMINAL ELEMENT例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラ型ガン効果四端子素子 - 特許庁

To provide a gunn diode oscillator that reduces the effect of an external load and furthermore provides a high oscillation output.例文帳に追加

外部負荷の影響を低減し、さらに発振出力の大きいガンダイオード発振器を提供する。 - 特許庁

BIPOLAR GUNN EFFECT TRIODE, AND VOLTAGE-CONTROLLED FREQUENCY VARIABLE OSCILLATOR, INJECTION SYNCHRONOUS OSCILLATOR, SELF-OSCILLATING MIXER AND RADIO RECEIVER USING THE TRIODE例文帳に追加

バイポーラ型ガン効果トリオード、それを用いた電圧制御周波数可変発振器、注入同期発振器、自己発振ミキサおよび無線受信装置 - 特許庁

To provide a hetero junction bipolar Gunn effect 4-terminal element wherein a synchronous signal is prevented from being transmitted from an antenna when used as a self-exciting oscillation mixer of a receiver.例文帳に追加

受信機の自励発振ミクサとして用いられる場合に、アンテナから、同期信号が送信されるのを防止できるヘテロ接合バイポーラ型ガン効果四端子素子を提供する。 - 特許庁

A unipolar Gunn effect element has laminated anode layer, travel layer, cathode layer and the gate electrode which is Schottky-jointed to the travel layer and donor impurity concentration is adjusted so that time average electron density in the travel layer is canceled so as to make time average field strength to be constant is installed for solving said problem.例文帳に追加

上記問題を解決するために、本件発明では、積層されたアノード層、走行層、カソード層、走行層にショットキー接合したゲート電極を有し、走行層中の時間平均電子密度を相殺するようドナー不純物濃度を調整することで時間平均電界強度を一定とした、ユニポーラ型ガン効果素子を提供する。 - 特許庁