IBADとは 意味・読み方・使い方

To improve the orientation of an IBAD layer by forming a bed layer using an MOD method.例文帳に追加

ベッド層をＭＯＤ法により形成することによりＩＢＡＤ層の配向性を向上させる。 - 特許庁

In this structure, a method for evaporating titanium by an HCD method and a method for generating carbon ions by an IBAD method are jointly used, and the structure is obtained by an ion-plating method.例文帳に追加

この構造は、ＨＣＤ法によりチタンを蒸発させる方法とＩＢＡＤ法により炭素イオンを発生させる方法とを併用し、イオンプレーティング法により得られる。 - 特許庁

To provide a substrate for an oxide superconductor having a layer desirable as a foundation of an intermediate layer such as IBAD-MgO used as a forming base of the oxide superconductor layer excellent in crystal orientation and in superconductive characteristics, and having a structure for further improving the crystal orientation degree of the intermediate layer such as IBAD-MgO.例文帳に追加

本発明は、結晶配向性に優れ、超電導特性に優れた酸化物超電導層を形成するための基となるＩＢＡＤ−ＭｇＯなどの中間層の下地として望ましい層を備え、ＩＢＡＤ−ＭｇＯなどの中間層の結晶配向度を更に高めることができる構造を備えた酸化物超電導導体用基材の提供を目的とする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the substrate for the oxide superconductor, a reactivity DC sputtering method using metal targets 14a, 15a is used as a method of forming cap layer on an IBAD substrate 7.例文帳に追加

本発明の酸化物超電導導体用基材の製造方法では、ＩＢＡＤ基材７上にキャップ層を形成する方法として、金属ターゲット１４ａ、１５ａを用いる反応性ＤＣスパッタ法を用いる。 - 特許庁

When a cap layer is formed, two or more metal targets 14a, 15a are prepared along a run system 11, and it is desirable to establish the temperature of the IBAD substrate 7 and the oxygen concentration of a gas introduced into a deposition space in a predetermined range.例文帳に追加

キャップ層を形成する際には、走行系１１に沿って複数の金属ターゲット１４ａ、１５ａを配設し、ＩＢＡＤ基材７の温度及び成膜空間に導入するガスの酸素濃度を所定の範囲に設定するのが好ましい。 - 特許庁

To provide a base material for an oxide superconductor and an oxide superconductor employing the same, with crystal orientation of an intermediate layer formed by the ion beam assist method (IBAD method) enhanced, and including a bed layer having characteristics of promoting film-forming conditions of the intermediate layer to be of a wide range.例文帳に追加

イオンビームアシスト法（ＩＢＡＤ法）により形成される中間層の結晶配向性を高め、かつ、中間層の成膜条件が広範囲となるよう促す特性を有するベッド層を備えた酸化物超電導体用基材及びそれを用いた酸化物超電導導体の提供。 - 特許庁