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III typeとは 意味・読み方・使い方

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Weblio専門用語対訳辞書での「III type」の意味

III type

Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「III type」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 885



例文

(iii) the type of business;発音を聞く 例文帳に追加

三 営業の種類 - 日本法令外国語訳データベースシステム

Earthen vessels (the Makimuku III type period)発音を聞く 例文帳に追加

須恵器(纒向Ⅲ式期) - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Type III environmental labels発音を聞く 例文帳に追加

タイプⅢ環境ラベル - 経済産業省

(iii) Type of offenders rehabilitation services;発音を聞く 例文帳に追加

三  更生保護事業の種類 - 日本法令外国語訳データベースシステム

(iii) Type and nature of services;発音を聞く 例文帳に追加

三 事業の種類及び内容 - 日本法令外国語訳データベースシステム

(iii) Type of work engaged in発音を聞く 例文帳に追加

三 従事する業務の種類 - 日本法令外国語訳データベースシステム

例文

(iii) Aircraft type pertaining to the designation発音を聞く 例文帳に追加

三 指名に係る航空機の型式 - 日本法令外国語訳データベースシステム

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「III type」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 885



例文

(iii) the type of nuclear fuel material,発音を聞く 例文帳に追加

三 核燃料物質の種類 - 日本法令外国語訳データベースシステム

(iii) the type of nuclear source material,発音を聞く 例文帳に追加

三 核原料物質の種類 - 日本法令外国語訳データベースシステム

(v) A Type III Monitoring Chemical Substance発音を聞く 例文帳に追加

五 第三種監視化学物質 - 日本法令外国語訳データベースシステム

The EA modulator device 37b has an n-type III-V compound semiconductor clad layer 17b, a III-V compound semiconductor SCH layer 19b, a III-V compound semiconductor active layer 21b, a III-V compound semiconductor SCH layer 23b, and a p-type III-V compound semiconductor clad layer 25b.例文帳に追加

EA型変調器デバイス部47bは、n型III-V族化合物半導体クラッド層17b、III-V族化合物半導体SCH層19b、III-V族化合物半導体活性層層21b、III-V族化合物半導体SCH層23b、p型III-V族化合物半導体クラッド層25bを有する。 - 特許庁

The DC device 47a has an n-type III-V compound semiconductor clad layer 3b, a III-V compound semiconductor SCH layer 5b, a III-V compound semiconductor active layer 7b, a III-V compound semiconductor SCH layer 9b, and a p-type III-V compound semiconductor clad layer 11b.例文帳に追加

LDデバイス部47aは、n型III-V族化合物半導体クラッド層3b、III-V族化合物半導体SCH層5b、III-V族化合物半導体活性層層7b、III-V族化合物半導体SCH層9b、およびp型III-V族化合物半導体クラッド層11bを有する。 - 特許庁

The second cladding region 23 includes a first p-type group III nitride semiconductor layer 27 and a second p-type group III nitride semiconductor layer 29.例文帳に追加

第2のクラッド領域23は、第1p型III族窒化物半導体層27及び第2p型III族窒化物半導体層29を含む。 - 特許庁

The first p-type group III nitride semiconductor layer 27 is provided between the second p-type group III nitride semiconductor layer 29 and the active layer 25.例文帳に追加

第1p型III族窒化物半導体層27は第2p型III族窒化物半導体層29と活性層25との間に設けられる。 - 特許庁

例文

The junction region 19 comprises an n-type III-V compound semiconductor layer 25 and a p-type III-V compound semiconductor layer 27.例文帳に追加

接合領域19は、n型III−V化合物半導体層25およびp型III−V化合物半導体層27からなる。 - 特許庁

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III typeのページの著作権
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