III‐V semiconductorの英語

A current constriction layer 12 is configured by the group III-V compound semiconductor layer 11 and the group III-V compound semiconductor layer 13.例文帳に追加

III−V族化合物半導体層１１とIII−V族化合物半導体層１３とによって電流狭窄層１２が構成される。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 is also provided with a group III-V compound semiconductor layer 11 provided on the group III-V compound semiconductor layer 9 and containing a phosphorous element, and a group III-V compound semiconductor layer 13 provided on the group III-V compound semiconductor layer 11 and containing an arsenic element.例文帳に追加

また、半導体レーザ１は、III−V族化合物半導体層９上に設けられリン元素を含むIII−V族化合物半導体層１１と、III−V族化合物半導体層１１上に設けられヒ素元素を含むIII−V族化合物半導体層１３とを備える。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 is provided with a group III-V compound semiconductor layer 5, an active layer 7 provided on the group III-V compound semiconductor layer 5, and a group III-V compound semiconductor layer 9 provided on the active layer 7 and containing a phosphorous element.例文帳に追加

半導体レーザ１は、III−V族化合物半導体層５と、III−V族化合物半導体層５上に設けられた活性層７と、活性層７上に設けられリン元素を含むIII−V族化合物半導体層９とを備える。 - 特許庁

A III-V compound semiconductor layer 106 is formed on the surface part 105.例文帳に追加

表面部１０５上にIII-V族の化合物半導体層１０６を成膜する。 - 特許庁

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子及びＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体エピタキシャルウェハ - 特許庁

GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体基板及びＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体基板の製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR AND III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体の製造方法およびＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法およびＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体 - 特許庁