「III‐V semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

３−５族化合物半導体 - 特許庁

At this time, the second group III-V compound semiconductor layer may be laminated on the first group III-V compound semiconductor layer.例文帳に追加

このとき、第２のIII−V族化合物半導体層は、第１のIII−V族化合物半導体層上に積層されていても良い。 - 特許庁

A current constriction layer 12 is configured by the group III-V compound semiconductor layer 11 and the group III-V compound semiconductor layer 13.例文帳に追加

III−V族化合物半導体層１１とIII−V族化合物半導体層１３とによって電流狭窄層１２が構成される。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 is also provided with a group III-V compound semiconductor layer 11 provided on the group III-V compound semiconductor layer 9 and containing a phosphorous element, and a group III-V compound semiconductor layer 13 provided on the group III-V compound semiconductor layer 11 and containing an arsenic element.例文帳に追加

また、半導体レーザ１は、III−V族化合物半導体層９上に設けられリン元素を含むIII−V族化合物半導体層１１と、III−V族化合物半導体層１１上に設けられヒ素元素を含むIII−V族化合物半導体層１３とを備える。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 is provided with a group III-V compound semiconductor layer 5, an active layer 7 provided on the group III-V compound semiconductor layer 5, and a group III-V compound semiconductor layer 9 provided on the active layer 7 and containing a phosphorous element.例文帳に追加

半導体レーザ１は、III−V族化合物半導体層５と、III−V族化合物半導体層５上に設けられた活性層７と、活性層７上に設けられリン元素を含むIII−V族化合物半導体層９とを備える。 - 特許庁

A III-V compound semiconductor layer 106 is formed on the surface part 105.例文帳に追加

表面部１０５上にIII-V族の化合物半導体層１０６を成膜する。 - 特許庁

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子及びＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体エピタキシャルウェハ - 特許庁

GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体基板及びＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体基板の製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR AND III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体の製造方法およびＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法およびＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体 - 特許庁

APPARATUS FOR MANUFACTURING III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置及びＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法 - 特許庁

To prevent degradation of output caused by heat in a semiconductor device having a group III-V nitride semiconductor.例文帳に追加

III-V族窒化物半導体を有する半導体装置において、熱による出力低下を低減する。 - 特許庁

The second group III-V compound semiconductor layer is functioned as a light absorption layer, an energy gap of the second group III-V compound semiconductor layer is smaller than that of the first group III-V compound semiconductor layer, and Be or C is used as a p-type dopant in the respective semiconductor layers.例文帳に追加

第２のIII−V族化合物半導体層が光吸収層として機能し、第２のIII−V族化合物半導体層のエネルギーギャップは、第１のIII−V族化合物半導体層のそれより小さく、各半導体層におけるｐ型のドーパントとしては、Ｂｅ又はＣが用いられる。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE USING GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を用いた半導体装置 - 特許庁

To obtain a III-V nitride based semiconductor light emitting device having a high luminous efficiency by suppressing re-evaporation of a group III-V element.例文帳に追加

III族元素の再蒸発を抑制して、発光効率が高いIII-V族窒化物系半導体発光素子を得る。 - 特許庁

To provide a III-V-family compound semiconductor epitaxial wafer with excellent electric characteristics.例文帳に追加

電気的特性に優れたIII-V 族化合物半導体エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

GROUP III-V NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND GROUP III-V NITRIDE-BASED LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体基板及びＩＩＩ−Ｖ族窒化物系発光素子 - 特許庁

The channel includes a first III-V compound semiconductor material formed of group III and group V elements.例文帳に追加

チャネルは、III族元素とV族元素から構成される第一III-V族化合物半導体材料からなる。 - 特許庁

III-V SEMICONDUCTOR LASER DIODE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ半導体レーザダイオード - 特許庁

GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体エピタキシャルウェハ - 特許庁

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体エピタキシャルウェハ - 特許庁

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体エピタキシャルウエハ - 特許庁

III-V SEMICONDUCTOR MULTILAYER FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族半導体多層膜及びその製造方法 - 特許庁

GAN BASED III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR DIODE例文帳に追加

ＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体ダイオード - 特許庁

III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光ダイオード - 特許庁

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶基板 - 特許庁

GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザ素子 - 特許庁

III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザ - 特許庁

GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体素子 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING III-V GROUP NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体結晶の製造方法 - 特許庁

III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR AND ITS PRODUCTION PROCESS例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR ETCHING III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体のエッチング方法 - 特許庁

II-III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩ−ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体 - 特許庁

RIDGE-TYPE III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LASER例文帳に追加

リッジ型ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体レーザ - 特許庁

GAN BASED III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR TWO TERMINAL ELEMENT例文帳に追加

ＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体二端子素子 - 特許庁

GROUP III-V SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族半導体素子、およびその製造方法 - 特許庁

III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶 - 特許庁

GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体基板 - 特許庁

NITRIDE BASED III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LASER例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体レーザ - 特許庁

III-V GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハ - 特許庁

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の製造方法 - 特許庁

III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体電子デバイス - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウェハの製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING FOR GROUP III-V NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体基板の製造方法 - 特許庁