III‐V group materialの英語

Thereafter, the group III-V compound semiconductor material grows epitaxially in the recess.例文帳に追加

その後、III−Ｖ族化合物半導体材料は凹部でエピタキシャル成長する。 - 特許庁

To provide a method of producing a relaxed group-III-V or -II-VI material-on-insulator.例文帳に追加

緩和III−Ｖ族またはII−VI族マテリアルオンインシュレータの製造方法の提供。 - 特許庁

The method is to form a semiconductor material of low-resistance p-type compounds on a substrate, and includes (a) a stage which forms a semiconductor material of p-type impurity-doped group III-V compounds on the substrate and (b) a stage which carries out a micro wave processing on the semiconductor material of the p-type impurity-doped group III-V compounds.例文帳に追加

基板上に低抵抗ｐ型化合物半導体材料を形成する方法であって、（ａ）基板上にｐ型不純物ドープIII-V族化合物半導体材料を形成する段階と、（ｂ）ｐ型不純物ドープIII-V族化合物半導体材料上に対してマイクロ波処理を施す段階と、を備えたことをを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the group III-V compound semiconductor is for use in the group III-V compound semiconductor by organic metal vapor phase epitaxy employing a material containing group III element.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法は、ＩＩＩ族元素を含む原料を用いた有機金属気相成長法によってＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を製造する方法である。 - 特許庁

A density of energy levels and a doping concentration of a group III-V material are enhanced through heteroepitaxy of group III-V and group IV materials and structural designs of elements.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族材料のエネルギーレベルの密度とドーピング濃度をＩＩＩ−Ｖ族材料とＩＶ族材料のヘテロエピタキシと素子の構造設計によって高める。 - 特許庁

This light emitting material uses particle, and thin-line or well- shaped silicon nanostructure 17 made of a light emitting material containing group IVb, III-V or II-VI impurities.例文帳に追加

粒子、細線又は井戸状のシリコン・ナノ構造１７にIVb族、III-V族又はII-VI族不純物を発光センタとして含んだものを発光材料として用いる。 - 特許庁

In the method of growing group III-V compound semiconductor, a second group III-V compound semiconductor containing nitrogen and arsenic (group V component) is grown on a semiconductor region comprising a first group III-V compound semiconductor containing arsenic and phosphorous (group V component), using a first material gas (N source), a second material gas (As source), and a third material gas (Ga source, and In source).例文帳に追加

III−Ｖ化合物半導体を成長する方法では、第１の原料ガス（Ｎソース）、第２の原料ガス（Ａｓソース）および第３の原料ガス（Ｇａソース、Ｉｎソース）を用いて、ヒ素およびリン（Ｖ族構成元素）を含む第１のIII−Ｖ化合物半導体からなる半導体領域上に、窒素およびヒ素（Ｖ族構成元素）を含む第２のIII−Ｖ化合物半導体を成長する。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element using a nitride-based III-V group compound semiconductor uses as a light emitting material a nitride- based III-V compound semiconductor doped with a rare-earth element.例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、発光材料として窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体に希土類元素をドープしたものを用いる。 - 特許庁