「III‐V group material」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A group III-V nitride boule is formed by growing a group III-V nitride material on a corresponding native group III-V nitride seed crystal by vapor phase epitaxy at a growth rate above 20 μm per hour.例文帳に追加

相応する天然III−Ｖ族窒化物シード結晶上で、気相エピタクシーによって、１時間に２０μｍを上回る成長速度で、III−Ｖ族窒化物材料を成長させることにより、III−Ｖ族窒化物ブールを形成する。 - 特許庁

The group III-V nitride-based semiconductor light emitting element includes a laminate structure composed by laminating a plurality of single-crystal semiconductor growth layers each formed of at least one of group III-V nitride-based compound semiconductor material on a substrate formed of a constituent material other than the group III-V nitride-based material.例文帳に追加

III−Ｖ族窒化物系半導体発光素子は、III−Ｖ族窒化物系の少なくとも１種類の化合物半導体材料からなる複数の単結晶半導体成長層が該III−Ｖ族窒化物系以外の構成材料からなる基板の上に積層されて構成されている積層構造体を備えている。 - 特許庁

Thereafter, the group III-V compound semiconductor material grows epitaxially in the recess.例文帳に追加

その後、III−Ｖ族化合物半導体材料は凹部でエピタキシャル成長する。 - 特許庁

To provide a method of producing a relaxed group-III-V or -II-VI material-on-insulator.例文帳に追加

緩和III−Ｖ族またはII−VI族マテリアルオンインシュレータの製造方法の提供。 - 特許庁

The method is to form a semiconductor material of low-resistance p-type compounds on a substrate, and includes (a) a stage which forms a semiconductor material of p-type impurity-doped group III-V compounds on the substrate and (b) a stage which carries out a micro wave processing on the semiconductor material of the p-type impurity-doped group III-V compounds.例文帳に追加

基板上に低抵抗ｐ型化合物半導体材料を形成する方法であって、（ａ）基板上にｐ型不純物ドープIII-V族化合物半導体材料を形成する段階と、（ｂ）ｐ型不純物ドープIII-V族化合物半導体材料上に対してマイクロ波処理を施す段階と、を備えたことをを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the group III-V compound semiconductor is for use in the group III-V compound semiconductor by organic metal vapor phase epitaxy employing a material containing group III element.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法は、ＩＩＩ族元素を含む原料を用いた有機金属気相成長法によってＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を製造する方法である。 - 特許庁

A density of energy levels and a doping concentration of a group III-V material are enhanced through heteroepitaxy of group III-V and group IV materials and structural designs of elements.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族材料のエネルギーレベルの密度とドーピング濃度をＩＩＩ−Ｖ族材料とＩＶ族材料のヘテロエピタキシと素子の構造設計によって高める。 - 特許庁

This light emitting material uses particle, and thin-line or well- shaped silicon nanostructure 17 made of a light emitting material containing group IVb, III-V or II-VI impurities.例文帳に追加

粒子、細線又は井戸状のシリコン・ナノ構造１７にIVb族、III-V族又はII-VI族不純物を発光センタとして含んだものを発光材料として用いる。 - 特許庁

In the method of growing group III-V compound semiconductor, a second group III-V compound semiconductor containing nitrogen and arsenic (group V component) is grown on a semiconductor region comprising a first group III-V compound semiconductor containing arsenic and phosphorous (group V component), using a first material gas (N source), a second material gas (As source), and a third material gas (Ga source, and In source).例文帳に追加

III−Ｖ化合物半導体を成長する方法では、第１の原料ガス（Ｎソース）、第２の原料ガス（Ａｓソース）および第３の原料ガス（Ｇａソース、Ｉｎソース）を用いて、ヒ素およびリン（Ｖ族構成元素）を含む第１のIII−Ｖ化合物半導体からなる半導体領域上に、窒素およびヒ素（Ｖ族構成元素）を含む第２のIII−Ｖ化合物半導体を成長する。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element using a nitride-based III-V group compound semiconductor uses as a light emitting material a nitride- based III-V compound semiconductor doped with a rare-earth element.例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、発光材料として窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体に希土類元素をドープしたものを用いる。 - 特許庁

The light emitting material is formed on a semiconductor substrate in a form of the silicon nanostructure, ions of the group IVb, III-V or II-VI impurities are implanted into a surface of the substrate, and then the substrate is subjected to annealing processing.例文帳に追加

この発光材料は半導体基板上にシリコン・ナノ構造を作製し、この基板の表面にIVb族、III-V族、又はII-VI族不純物をイオン注入により打ち込み、その後アニール処理して作られる。 - 特許庁

In the method for growing a group III-V compound semiconductor layer including nitrogen and other elements as a group V is composed, an organic nitrogen material G4 is at least partially decomposed by heating the organic nitrogen material G4 for growing the group III-V compound semiconductor layer by using a heater 59.例文帳に追加

Ｖ族として窒素および他の元素を含むIII−Ｖ化合物半導体層を成長する方法では、III−Ｖ化合物半導体層を成長するための有機窒素原料Ｇ４をヒータ５９を用いて加熱して、有機窒素原料Ｇ４の少なくとも一部分を分解させる。 - 特許庁

METHOD OF FORMING GROUP III/V SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE FORMED USING SUCH METHOD例文帳に追加

ＩＩＩ／Ｖ族半導体材料を形成する方法及びそのような方法を用いて形成された半導体構造体 - 特許庁

To provide a method of growing a crystal by which nitrogen can be mixed in crystals without being affected by the supply condition of a group III raw material and a III-V compound semiconductor containing nitrogen and a group V element other than nitrogen in a group V composition can be obtained.例文帳に追加

III族原料の供給条件に影響を受けることなく窒素の混晶化を行うことができる、窒素と窒素以外のV族元素とをV族組成に有するIII-V族化合物半導体を得る為の結晶成長方法を提供すること。 - 特許庁

In the epitaxial growth of a III-V group compound semiconductor thin film laminate wafer using an organic metallic material, the semiconductor thin film is epitaxially grown at a low temperature by a highly efficient V group material decomposition process by the mutual chemical reaction process of ammonia and triethylamine (ETA).例文帳に追加

有機金属材料を用いたIII-V族化合物半導体薄膜積層ウエハのエピタキシャル結晶成長において、アンモニアとトリエチルアミン(TEA)の相互化学反応工程により高効率なV族材料の分解工程により半導体薄膜を低温度で結晶成長させる。 - 特許庁

To provide a method of forming a group III/V semiconductor material having a smaller and/or reduced number of internal detects, and to provide a semiconductor structure or element containing such a group III/V semiconductor material having a smaller and/or reduced number of detects.例文帳に追加

内部の欠陥数がより少なく且つ／又は減少したＩＩＩ／Ｖ族半導体材料を形成する方法、並びに欠陥数がより少なく且つ／又は減少したそのようなＩＩＩ／Ｖ族半導体材料を含む半導体構造体及び素子が必要である。 - 特許庁

In this group III-V nitride compound semiconductor device, the material of the electrode 5 formed on the surface of an n-type layer 4 composed of a group III-V nitride compound semiconductor represented by a GaN compound semiconductor is a silicide alloy.例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体で代表されるＩＩＩ−Ｖ族窒化物系化合物半導体から成るｎ型層４の表面に形成される電極５の材料がシリサイド系合金であるＩＩＩ−Ｖ族窒化物系化合物半導体装置。 - 特許庁

The flow rate of N source material gas is so controlled as to increase from zero to an initial value during growth of the second group III-V compound semiconductor for a first time T1, while controlled as to decrease from the last value during growth of the second group III-V compound semiconductor to zero for second time T2.例文帳に追加

Ｎソース原料ガスの流量は、第２のIII−Ｖ化合物半導体の成長における初期値へゼロから第１の時間Ｔ１で増加するように制御されると共に、第２のIII−Ｖ化合物半導体の成長における最終値からゼロへ第２の時間Ｔ２で減少する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a III-V compound semiconductor whereby a dopant material, a group III material, a group V material, and dilution gas are supplied onto a heated substrate to grow the buffer layer, oxygen is doped on the buffer layer.例文帳に追加

加熱した基板上にドーパント原料とIII 族原料とＶ族原料と希釈用ガスとを供給してバッファ層を成長するIII −Ｖ族化合物半導体の製造方法において、前記バッファ層に酸素をドーピングしたこと。 - 特許庁

Since the group III-V compound semiconductor layer 21 is formed of a material containing Al elements, Ga elements and In elements as group III elements and containing As elements as group V elements, band offsets in a conduction band of the embedded semiconductor layer 19, that of the second clad layer 23 and that of the group III-V compound layer 21 are small.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体層２１は、III族元素としてＡｌ元素、Ｇａ元素及びＩｎ元素を含むと共にＶ族元素としてＡｓ元素を含む材料からなるので、埋込半導体層１９の伝導帯及び第２クラッド層２３の伝導帯とIII−Ｖ族化合物半導体層２１の伝導帯とにおけるバンドオフセットは小さい。 - 特許庁

To grow a group III-V compound semiconductor crystal whose V group contains phosphate using an MOCVD method by reducing a phosphate raw material flow rate necessary for growing a thin film crystal whose surface is finished to a mirror surface than a flow rate in a conventional manner.例文帳に追加

Ｖ族にリンを含むIII−Ｖ族化合物半導体結晶をＭＯＣＶＤ法を用いて成長するとき、表面が鏡面状態の薄膜結晶を成長するために必要なリン原料流量を、従来よりも少なくすること。 - 特許庁

Projections 12 made of magnetostriction material are formed on one main surface of a substrate 11, and a nitride-based III-V group compound semiconductor layer 15 is grown on recessed parts 13 among the projections 12, which has first a triangular sectional shape with a bottom side as their bottom surfaces, and is further grown from the nitride-based III-V group compound semiconductor layer 15 in horizontal direction.例文帳に追加

基板１１の一主面に磁歪材料からなる凸部１２を形成し、凸部１２の間の凹部１３に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態を経て窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を成長させた後、この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５から横方向成長を行う。 - 特許庁

To improve a technique using an aluminum bearing III-V group semiconductor material and an aluminum original oxide formed in the semiconductor material.例文帳に追加

この開示はアルミニウムベアリングIII−Ｖ族半導体材料およびこの半導体材料内に形成されたアルミニウムの原産酸化物を使用した技術の改善に関する。 - 特許庁

A material gas containing at least an organic nitrogen material and a hydrochloric gas is supplied into a metal organic chemical vapor deposition furnace to grow a group III-V compound semiconductor.例文帳に追加

少なくとも有機窒素原料及び塩化水素ガスを含む原料ガスを有機金属気相成長炉に供給し、III−Ｖ族化合物半導体を成長する。 - 特許庁

The group III-V compound semiconductor layer is grown on a substrate W by supplying the decomposed material to a reaction chamber 57 of an organometallic vapor-phase growth furnace 51, after at least partially decomposing the organic nitrogen material G4.例文帳に追加

有機窒素原料Ｇ４の少なくとも一部分を分解させた後に、分解された原料を有機金属気相成長炉５１の反応室５７に供給してIII−Ｖ化合物半導体層を基板Ｗ上に成長する。 - 特許庁

The present invention relates to the method of manufacturing the solar cell that includes forming a solar cell including at least one auxiliary battery composed of a group IV/III-V hybrid alloy such as GeSiSn by preparing a growth substrate and depositing a sequence of layers of semiconductor material on the growth substrate; and removing the semiconductor substrate.例文帳に追加

成長用基板を準備し、該成長用基板上に順に重ねられた状態で半導体物質の層を堆積して、ＧｅＳｉＳｎなどのIV／III−V族ハイブリッド合金により構成される少なくとも１つの補助電池を含む太陽電池を形成し、該半導体基板を取り除くことからなる太陽電池の製造方法が示されている。 - 特許庁

A group III-V compound semiconductor constituent material layer containing phosphorous and corresponding to a semiconductor layer 7 of the micro-LED 10 to be fabricated is stacked on a substrate and formed.例文帳に追加

作製しようとするマイクロＬＥＤ１０の半導体層７に対応する、リンを含むIII−Ｖ族化合物半導体構成材料層を基板上に積層して形成する。 - 特許庁

A lamination pattern including a lower layer made of a nitride based group III-V compound semiconductor and an upper layer made of another material is formed in a partial region on a surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表面の一部の領域上に、ナイトライド系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる下層及び他の材料からなる上層を含む積層パターンが形成されている。 - 特許庁

In a fourth process, by performing a molecular beam epitaxial growth method using a solid growth material, a group III-V compound semiconductor crystal 5 is selectively grown at part of the dimple 4.例文帳に追加

第４工程では、固体成長原料を用いた分子線エピタキシャル成長法を行うことで、前記窪み４の部分にIII−Ｖ族化合物半導体結晶５を選択成長させる。 - 特許庁

To prepare a crystal film being a group III-V nitride crystal film applicable as a photonic material and having a nonpolar surface in consideration of the influence by the STARK effect.例文帳に追加

光電子材料として応用可能なＩＩＩ−Ｖ族窒化物結晶膜であって、ＳＴＡＲＫ効果を加味し、非極性表面を持つ結晶膜を得ること。 - 特許庁

When the groups III-V compound semiconductor crystal is grown on a substrate by supplying a group III raw material containing Al as a main component and a group V raw material to the substrate, the temperature of the substrate is kept at 650°C or below, and a gas containing a halogen is supplied to the substrate.例文帳に追加

Ａｌを主成分とするＩＩＩ族原料とＶ族原料を基板に供給して基板上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶を成長させる際に、基板温度を６５０℃以下に保持し、ハロゲンを含むガスを基板に供給する。 - 特許庁

The ferromagnetic semiconductor material is composed mainly of a semiconductor material belonging to the group II-VI, IV or III-V, contains at least either of a transition metal (excluding Mn when the main component belongs to the group IV) and a rare earth element as an additive element, and has an amorphous structure.例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族、または、ＩＶ族、または、ＩＩＩ−Ｖ族の半導体材料を主成分とし、遷移金属（主成分をＩＶ族とした場合Ｍｎを除く）、または、希土類元素の少なくとも一方を添加元素として含み、アモルファスとする。 - 特許庁

The method of depositing a III-V semiconductor material on a substrate includes a step of sequentially introducing a gaseous precursor of a group III element and a gaseous precursor of a group V element to the substrate by altering spatial positioning of the substrate with respect to a plurality of gas columns.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を基板に堆積させる方法は、複数のガスコラムに対する基板の空間的位置づけを変更することによってＩＩＩ族元素のガス状前駆体及びＶ族元素のガス状前駆体を基板に連続的に導入するステップを含む。 - 特許庁

An organic metal containing not more than 0.01 ppm of silicon, not more than 10 ppm of oxygen and not more than 0.04 ppm of germanium is then used as a material containing the group III elements to carry out a growth process (S20) for growing the group III-V compound semiconductor on the seed substrate.例文帳に追加

そして、ＩＩＩ族元素を含む原料として０．０１ｐｐｍ以下のシリコンと、１０ｐｐｍ以下の酸素と、０．０４ｐｐｍ未満のゲルマニウムとを含む有機金属を用いて、種基板上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させる成長工程（Ｓ２０）を実施する。 - 特許庁

Subsequently, an organic metal containing not more than 0.01 ppm of silicon, not more than 10 ppm of oxygen and not more than 0.04 ppm of germanium is employed as a material containing the group III elements to carry out a growth process (S20) for growing the group III-V compound semiconductor on the seed substrate.例文帳に追加

そして、ＩＩＩ族元素を含む原料として０．０１ｐｐｍ以下のシリコンと、１０ｐｐｍ以下の酸素と、０．０４ｐｐｍ未満のゲルマニウムとを含む有機金属を用いて、種基板上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させる成長工程（Ｓ２０）を実施する。 - 特許庁

The spin electronics material which shows an electronic phenomenon depending on the spin is formed by a heterojunction of a III-V group semiconductor which consists of GaAs, AlAs, InAs or their mixed crystals with a sphalerite type CrAs.例文帳に追加

この発明のスピンエレクトロニクス材料は、スピンに依存した電子現象を発揮する材料であって、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、ＩｎＡｓあるいはそれらの混晶からなるＩＩＩ−Ｖ族半導体と、閃亜鉛鉱型ＣｒＡｓとのヘテロ接合からなる、ことを特徴としている。 - 特許庁

The current block layer 18 forming a ridge portion to the upper part of the p-type clad layer 16 and the p-type contact layer 17 is formed of a dielectric material where a part of nitrogen atoms forming the III-V group nitride semiconductor is replaced with oxygen atoms.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１６の上部及びｐ型コンタクト層１７にリッジ部を形成する電流ブロック層１８は、III-Ｖ族窒化物半導体を構成する窒素原子の一部を酸素原子で置換した誘電体により形成されている。 - 特許庁

The present invention relates to a method of manufacturing a solar cell by providing a germanium semiconductor growth substrate; and depositing on the semiconductor growth substrate a sequence of layers of semiconductor material forming a solar cell, including an auxiliary battery composed of a group IV/III-V hybrid alloy.例文帳に追加

ゲルマニウム半導体の成長用基板を準備し、半導体物質層を順に重ねられる状態で半導体成長用基板上に堆積して、ＩＶ／ＩＩＩ−Ｖ族ハイブリッド合金から構成される補助電池を含む太陽電池を形成する方法を示している。 - 特許庁

In an aspect of this disclosure, two linear arrays of terminal coupling mini cavities specified by the original oxide of the aluminum bearing III-V group semiconductor material are arranged transversely by the transverse coupling between the linear arrays in order to obtain a two-dimensional array.例文帳に追加

この開示のある形態の中で、アルミニウムベアリングIII−Ｖ族半導体材料の原産酸化物により定められる端結合ミニキャビティの２つの線形配列は二次元配列を得るため線形配列の間の横結合により横に配置されている。 - 特許庁

The method includes the steps of growing a group III-V material conduction layer 2, forming a mask on the conduction layer 2 to expose a first part of the conduction layer 2, and partially decomposing the first exposed part of the conduction layer 2.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族材料の伝導層２を成長させる工程と、伝導層２の上に、伝導層２の第１部分が露出するようにマスクを形成する工程と、伝導層２の第１露出部分を部分的に分解してする工程とを含む。 - 特許庁

When the group III-V compound semiconductor such as a GaN semiconductor is grown by using the organometallic chemical vapor growth device, the impurity concentration of a carrier gas for supplying a reaction tube 11 with a raw material gas is set to 10 ppb or less before the reaction tube 11.例文帳に追加

有機金属化学気相成長装置を用いてＧａＮ系半導体などのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長を行う場合に、反応管１１に原料ガスを供給するためのキャリアガスの不純物濃度を反応管１１の手前で１０ｐｐｂ以下にする。 - 特許庁

To provide a method for growing a semiconductor film, capable of forming the semiconductor film of a III-V group compound containing nitrogen (N) having few impurities and a good crystalline quality, and also to provide a device for purifying a nitrogen raw material, a device for growing the semiconductor film, a semiconductor laser, and an optical communication system.例文帳に追加

不純物が少なく結晶品質の良い窒素（Ｎ）を含むIII−Ｖ族化合物半導体膜を作製することの可能な半導体膜成長方法及び窒素原料精製装置及び半導体膜成長装置及び半導体レーザ及び光通信システムを提供する。 - 特許庁

To provide semiconductor processing equipment and methods, especially, equipment and methods for sustained high-volume production of Group III-V compound semiconductor material suitable for fabrication of optic and electronic components, for use as substrates for epitaxial deposition, for wafers and so forth.例文帳に追加

本発明は、半導体処理装置および方法の分野に関し、特に、エピタキシャル堆積用の基板としてウェハーなどに使用される、光学および電子部品の製作に適切な、第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の持続的大量生産のための方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element that has high quality and high reliability by subjecting a group III-V nitride-based single-crystal compound semiconductor layer to crystal growth on a substrate of a material system different therefrom, and that achieves planar light emission.例文帳に追加

III−Ｖ族窒化物系単結晶化合物半導体層を、これとは異なる材料系の基板上に結晶成長させ、これを用いて高品質及び高信頼性を有し且つ面状発光を実現する半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide methods and equipment for the sustained, high-volume production of a Group III-V compound semiconductor material suitable for fabrication of optic and electronic components, for use as substrates for epitaxial deposition, for wafers and so forth, in relation to the field of semiconductor processing equipment and methods.例文帳に追加

本発明は、半導体処理装置および方法の分野に関し、特に、エピタキシャル堆積用の基板としてウェハーなどに使用される、光学および電子部品の製作に適切な、第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の持続的大量生産のための方法および装置を提供する。 - 特許庁