NAND structureとは 意味・読み方・使い方

MULTI-BIT NONVOLATILE MEMORY ELEMENT OF NAND STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＮＡＮＤ構造のマルチビット不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

This ternary contents relieving memory has NAND type matched line structure.例文帳に追加

本発明によるターナリ内容検索メモリはＮＡＮＤ型マッチライン構造を有する。 - 特許庁

A split gate NAND flash memory structure is formed on a first conductive type semiconductor substrate.例文帳に追加

分割ゲートＮＡＮＤフラッシュメモリ構造が第１伝導型の半導体基板の上に形成される。 - 特許庁

A split gate NAND flash memory structure is formed on a first conductive type semiconductor substrate.例文帳に追加

分割ゲートＮＡＮＤフラッシュメモリ構造が、第１伝導型の半導体基板上に形成される。 - 特許庁

Thus a high-dielectric film (160) of an OKO structure in a NAND flash device made up of a second insulating film (130), the high-dielectric insulating film (140) and the third insulating film (150), is formed.例文帳に追加

これにより、第2の絶縁膜(130)、高誘電絶縁膜(140)及び第3の絶縁膜(150)からなるNANDフラッシュ素子においてOKO構造の高誘電体膜(160)が形成される。 - 特許庁

To provide a NAND type flash memory apparatus that has a shared string/ground selection line structure.例文帳に追加

共有されたストリング／グラウンド選択ライン構造を有するＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide an NAND-type flash memory device having shared string/ground selection line structure.例文帳に追加

共有されたストリング／グラウンド選択ライン構造を有するＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置を提供する。 - 特許庁

To increase-speed of access to a memory cell array in a NAND type flash memory with a floating gate structure.例文帳に追加

本発明は、フローティングゲート構造のＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、メモリセルアレイへのアクセスを高速化できるようにする。 - 特許庁