A gate turn-off thyristor has bonding wires 23 extended in a first direction (length direction) P of mesa type p-type anode emitter layers 4.例文帳に追加

このゲートターンオフサイリスタで、ボンディングワイヤ２３はメサ型のｐ型のアノードエミッタ層４の第１の方向(長手方向)Ｐに延在している。 - 特許庁

The gate layers (P-type layers) 30 of the thyristors are connected to power-supply voltage VGA through load resistors RL, and sections among the gate layers of each thyristor are connected by diodes D.例文帳に追加

サイリスタのゲート層（ｐ型層）３０は、負荷抵抗Ｒ_L を介して電源電圧Ｖ_GAに接続され、各サイリスタのゲート層間はダイオードＤで接続されている。 - 特許庁

In a discharge circuit 21 of the semiconductor relay device, a diode 9 is provided between an N gate and an anode of four-terminal thyristor 11, and a low resistance 22 is provided between a P gate and a cathode thereof.例文帳に追加

放電回路２１は、４端子サイリスタ１１のＮゲートとアノード間をダイオード９で構成しているのに対して、Ｐゲートとカソード間を低抵抗素子２２で構成している。 - 特許庁

When a sufficient voltage is applied to the gate electrode 44, a current is made to flow from a cathode to an anode passing through the IGBT and a shallowly doped channel P 80 located under the trench gate to turn on the thyristor, and when a gate voltage drops, a channel resistance increases, the thyristor is turned off, and only an IGBT current flows.例文帳に追加

ゲート電極４４に十分な電圧がかけられた時、電流は、カソードからＩＧＢＴ部、トレンチゲート下部に浅くドープされたＰ８０チャネルを通してサイリスタをオンとしてアノードに流れ、ゲート電圧が低下すると、チャネル抵抗が増え、サイリスタはオフとなりＩＧＢＴ電流のみとなる。 - 特許庁

A drain/source of an insulated gate field-effect transistor T is connected across p-type gate region 2 and n-type cathode region 3 of a first thyristor 25, and a drain/source of an insulated gate field-effect transistor T'is connected across p-type gate region 2' and n-type cathod region 3'.例文帳に追加

第１のサイリスタ２５のｐ形ゲート領域２とｎ形カソード領域３との間には絶縁ゲート電界効果トランジスタＴのドレイン・ソース間が接続され、第２のサイリスタ２５’のｐ形ゲート領域２’とｎ形カソード領域３’との間には絶縁ゲート電界効果トランジスタＴ’のドレイン・ソース間が接続されている。 - 特許庁

A series circuit comprising a switching element 11 for detecting a thunder surge voltage and a frequency detecting means 12 for detecting the frequency of the thunder surge voltage is connected between an anode terminal and a P gate terminal of a three terminal thyristor element 14 or between a cathode terminal of and an N gate terminal.例文帳に追加

雷サージ電圧を検出するスイッチング素１１子と雷サージ電圧の周波数を検出する周波数検出手段１２とからなる直列回路を、３端子サイリスタ素子１４のアノード端子とＰゲート端子との間又はカソード端子とＮゲート端子との間に接続する。 - 特許庁