PIN PHOTODIODEとは 意味・読み方・使い方

The light receiving element array is constituted of arraying many light receiving elements each of which consists of a pin photodiode.例文帳に追加

本発明受光素子アレイは、pinフォトダイオードよりなる受光素子を多数配列した受光素子アレイである。 - 特許庁

On the other hand, as the photodiode, a pin ...Falls under restriction in a limited way.発音を聞く 例文帳に追加

これに対し、フォトダイオードは例えばピン限定的減縮に該当する。 - 特許庁

To provide a photodiode discriminating apparatus capable of automatically discriminating whether a photodiode in use is a cathode common photodiode or an anode common photodiode so as to eliminate the need for addition of a control pin or a register or the like for discriminating the photodiode.例文帳に追加

使用するフォトダイオードがカソードコモンフォトダイオードかアノードコモンフォトダイオードかを自動的に判別することで、フォトダイオード判別のための制御ピンやレジスタ等の追加が不要なフォトダイオード判別装置を提供する事を目的とする。 - 特許庁

To provide an edge input pin photodiode in which characteristic of a quick operation is not degraded, even if the intensity of incident light is increased.例文帳に追加

入射光の光強度の増大に対しても、高速動作特性を損なうことの端面入射型pinフォトダイオードを提供する。 - 特許庁

An epitaxial layer 82 having a high resistivity to be an i layer of a PIN photodiode (PIN-PD) is formed on the main surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の主面に、ＰＩＮフォトダイオード（ＰＩＮ−ＰＤ）のｉ層となる高比抵抗のエピタキシャル層８２を形成する。 - 特許庁

In the optical receiver 1, the avalanche photodiode 11 is disposed in between the PIN photodiode 13 and the principal surface 41a of a stem 41, and receives the light transmitted via the PIN photodiode 13 through an opening 50h provided in a mounting section 50b.例文帳に追加

光受信器１は、アバランシェフォトダイオード１１が、ＰＩＮフォトダイオード１３とステム４１の主面４１ａとの間に配置され、マウント部５０ｂに設けられた開口５０ｈを介してＰＩＮフォトダイオード１３を透過した光を受けることを特徴とする。 - 特許庁

The input terminal a2 of the low-pass filter 10 is connected to the cathode of a PIN photodiode 6.例文帳に追加

このローパスフィルタ１０の入力端子ａ２はＰＩＮフォトダイオード６のカソード側に接続されている。 - 特許庁

On a P-sub layer 80 becoming the common anode of a PIN photodiode (PIN-PD) in each section, an epitaxial layer 82 of high specific resistance becoming the i-layer of the PIN-PD is grown.例文帳に追加

区画毎のＰＩＮフォトダイオード（ＰＩＮ−ＰＤ）の共通のアノードとなるＰ-sub層８０の上に、ＰＩＮ−ＰＤのｉ層となる高比抵抗のエピタキシャル層８２を成長させる。 - 特許庁