Radical 111とは 意味・読み方・使い方

A first gas introduction means 106a is provided on the side closer to the radical generation region 111 than the gas introduction means 105.例文帳に追加

第１のガス排気手段１０６ａは、ガス導入手段１０５よりもラジカル生成領域１１１の側に設けられる。 - 特許庁

A treatment chamber 101 is a chamber performing radical treatment on the surface of a processed substrate 102 of semiconductor, or the like, and a gas introduction means 105 is provided between a region 111 where radicals are generated by a radical generating means 108 and a means 103 for supporting the processed substrate.例文帳に追加

処理室１０１は、半導体等の被処理基体１０２の表面のラジカル処理を行う室であり、ガス導入手段１０５は、ラジカル生成手段１０８により生成されるラジカル生成領域１１１と、被処理基体支持手段１０３との間に設けられる。 - 特許庁

The method of cleaning a substrate includes: introducing radicals contained in a plasma into a treatment chamber through radical passage holes 111 of a plasma confining electrode plate 110 for separating plasma; introducing a treatment gas into the treatment chamber to mix with the radical in the treatment chamber 121; and cleaning the substrate surface with a mixed ambience of the radicals and the treatment gas.例文帳に追加

プラズマ中のラジカルをプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板（１１０）のラジカル通過孔（１１１）を通して処理室に導入し、処理室に処理ガスを導入して処理室（１２１）内でラジカルと混合し、そしてラジカルと処理ガスとの混合雰囲気により基板表面を洗浄する。 - 特許庁