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Radical 109とは 意味・読み方・使い方
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該当件数 : 2件
The method of manufacturing a semiconductor memory device includes steps of: forming a floating gate electrode FG above a semiconductor substrate 101; forming an electrode-to-electrode insulating film 108 above the floating gate electrode FG; forming a radical nitride film 109 on the surface of the insulating film 108 through radical nitriding; and forming a control gate electrode CG on the radical nitride film 109.例文帳に追加
半導体記憶装置の製造方法は、半導体基板101の上方に浮遊ゲート電極FGを形成する工程と、この浮遊ゲート電極FGの上方に電極間絶縁膜108を形成する工程と、ラジカル窒化により、電極間絶縁膜108の表面にラジカル窒化膜109を形成する工程と、このラジカル窒化膜109上に制御ゲート電極CGを形成する工程とを具備する。 - 特許庁
In the photoelectric conversion element 100 having a semiconductor electrode 108 including a semiconductor layer 103 and pigment, an electrode couple 109, and an electrolyte layer 104 arranged between the semiconductor electrode 108 and the electrode couple 109, a cyclic nitroxyl radical compound and oxammonium salt are included in the electrolyte layer 104.例文帳に追加
半導体層103および色素を含む半導体電極108、対電極109ならびに半導体電極108と対電極109との間に設けられた電解質層104を有する光電変換素子100であって、電解質層104中に環状ニトロキシルラジカル化合物とオキソアンモニウム塩を有する。 - 特許庁
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