Sapphire Filmsとは 意味・読み方・使い方

An n-type GaN layer 2 is grown as the buffer layer for extracting an n-type electrode on a sapphire substrate 1 which is an insulating substrate, and SiO_2 thin films 4 which are insulating films are vapor-deposited to form opening portions 5 as shown in (a).例文帳に追加

（ａ）で示すように、絶縁性基板であるサファイア基板１上に、ｎ型電極引出しのためのバッファ層となるｎ型ＧａＮ層２を成長させ、さらに絶縁膜であるＳｉＯ_２薄膜４を蒸着して開口部５を形成する。 - 特許庁

Reflective films 19 are formed in regions, in the insulating film 16, at the lower side (sapphire substrate 10 side) of the n-electrode 17 and the p-electrode 18.例文帳に追加

絶縁膜１６中であって、ｎ電極１７、ｐ電極１８の下側（サファイア基板１０側）にあたる領域には、反射膜１９が形成されている。 - 特許庁

Using a sapphire slightly-tilted substrate having an off-angle of 0.5° or less, a plurality of nitride semiconductor films having flatness in an atomic scale are fabricated by a molecular beam epitaxy method to manufacture a nitride semiconductor device.例文帳に追加

オフ角が０．５度以下であるサファイヤ微傾斜基板を用い、分子線エピタキシー法により複数の窒化半導体膜を原子スケールで平坦な膜を作製して窒化物半導体素子を製造する。 - 特許庁

A ZnO piezoelectric thin film 2 is formed on a R plane sapphire substrate 1 by a sputtering method and the like, further, an inter-digital transducer 3 of a tilt charp type consisting of Al films is formed on the ZnO piezoelectric film 2.例文帳に追加

Ｒ面サファイア基板１上にＺｎＯ圧電薄膜２をスパッタリング法等によって形成し、さらにＺｎＯ圧電薄膜２上にＡｌ膜からなるチルトチャープ型のインターデジタルトランスデューサ３を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting device, a structure in which GaN thick films 106 are laminated on the first substrate in which a GaN low- temperature buffer layer 102, a GaN layer 103 and a selective growth mask 104 composed of SiO2 are formed sequentially on a sapphire substrate 101 is formed.例文帳に追加

サファイア基板１０１上にＧａＮ低温バッファー層１０２，ＧａＮ層１０３，ＳｉＯ_2からなる選択成長マスク１０４が順次形成された第一の基板上に、ＧａＮ厚膜１０６が積層された構造となっている。 - 特許庁