Seoiとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor-on-insulator (SeOI) wafer suitable for manufacturing a fully-depleted SOI device, and a device using the same.例文帳に追加

完全空乏型ＳＯＩデバイスの製造に適したセミコンダクタオンインシュレータ（ＳｅＯＩ）ウェーハおよびそれを用いたデバイスを提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device formed on an SeOI (Semiconductor-On-Insulator) substrate on the basis of a fundamental data-path cell.例文帳に追加

基本データパスセルに基づいてＳｅＯＩ（絶縁体上半導体）基板上に製造された半導体デバイスに関する。 - 特許庁

To provide a line to be connected to a semiconductor region on a semiconductor device on an SeOI substrate in an easy method.例文帳に追加

簡潔な方法で、ＳｅＯＩ基板上の半導体デバイスの半導体領域に接続するラインを提供すること。 - 特許庁

To provide a method of forming an SeOI structure of a semiconductor material which cannot be bonded directly to a support substrate.例文帳に追加

支持基板に直接に接着することができない半導体材料によるＳｅＯＩ構造を形成する方法を提供する。 - 特許庁

The buried oxide layer and the semiconductor layer are removed from a first region of the SeOI wafer while maintaining the buried oxide layer and the semiconductor layer in a second region of the SeOI wafer to form an upper transistor in the second region.例文帳に追加

ＳｅＯＩウェーハの第２の領域の埋め込み酸化物層および半導体層を維持しながらＳｅＯＩウェーハの第１の領域から埋め込み酸化物層および半導体層を除去し、第２の領域に上部トランジスタを形成する。 - 特許庁

The present invention includes forming a doped layer in a surface region of a first substrate, forming a buried oxide layer on the doped layer and forming a semiconductor layer on the buried oxide layer to obtain an SeOI wafer.例文帳に追加

本発明は、第１の基板の表面領域にドープ層、ドープ層上に埋め込み酸化物層、埋め込み酸化物層上に半導体層を形成してＳｅＯＩウェーハを得る。 - 特許庁

To provide a method which makes it possible to minimize hole density in a SeOI (Semiconductor-On-Insulator) structure thin layer, and especially, density of a fatal hole which is a fatal defect.例文帳に追加

ＳｅＯＩ（絶縁体上半導体）構造薄層内のホールの密度、および特に致命的欠陥であるホールすなわち致命ホールの密度を最小化することを可能にする方法を提供する。 - 特許庁