TI-108とは 意味・読み方・使い方

Then, a Ti film 108 is deposited by a physical vapor-phase growth method and then a TiN film 109 by a chemical vapor-phase growth method, and the surface of TiN film 109 is exposed to N2 plasma.例文帳に追加

次に、物理的気層成長法によりＴｉ膜１０８を、続いて化学的気層成長法によりＴｉＮ膜１０９を堆積し、ＴｉＮ膜１０９の表面を、Ｎ２プラズマに暴露する。 - 特許庁

Next, a Ti film 108 is deposited by a physical vapor phase growth method, a TiCN film 109 is deposited by a chemical vapor phase growth process, and the surface of the film 109 is exposed to N2 plasma to form a TiN film 110.例文帳に追加

次に物理的気層成長法によりＴｉ膜１０８を、続いて化学的気層成長法によりＴｉＣＮ膜１０９を堆積し、ＴｉＣＮ膜１０９の表面をＮ_2 プラズマに暴露することによりＴｉＮ膜１１０を形成する。 - 特許庁

Further, in areas on both sides of the control layer 106 on the second semiconductor layer 105, a source electrode 108 and a drain electrode 109 made of Ti and Al are formed, respectively, and a gate electrode 110 made of Ni is formed on the contact layer 107.例文帳に追加

また、第２の半導体層１０５の上におけるコントロール層１０６の両測方の領域には、それぞれＴｉ及びＡｌからなるソース電極１０８並びにドレイン電極１０９が形成され、コンタクト層１０７の上にはＮｉからなるゲート電極１１０が形成されている。 - 特許庁