TI-23とは 意味・読み方・使い方

At first, a resistor heating part 31 is provided on a head chip 29 while being surrounded by a barrier wall 23, an orifice plate 24 is placed thereon and a mask pattern 32-1 of Ti film 32 is formed thereon.例文帳に追加

先ずヘッドチップ２９の上に抵抗発熱部３１、これを囲む隔壁２３、その上にオリフィスプレート２４を積層し、その上にＴｉ膜３２のマスクパタ−ン３２−１を形成する。 - 特許庁

The metal layers 18, 28 and 19, 29 are each configured of a laminated film of a Ti film and an Au film on insulating films 16, 23.例文帳に追加

各封止用接合金属層１８，２８および各接続用接合金属層１９，２９は、それぞれ、絶縁膜１６，２３上のＴｉ膜とＡｕ膜との積層膜により構成されている。 - 特許庁

A Ti/Pt/Au gate electrode 24a of T-type structure which is Schottky-junctioned to the n-AlGaAs electron supply layer 13 via the opening part 18b is formed in the recess channel 23.例文帳に追加

そして、リセス溝２３内において開口部１８ｂを介してｎ−ＡｌＧａＡｓ電子供給層１３にショットキー接続するＴ型構造のＴｉ／Ｐｔ／Ａｕゲート電極２４ａが形成されている。 - 特許庁

This alloy for dental treatment use has a composition containing, by weight, 59 to 65% Au, 11 to 14% Cu, 23 to 26% Zn and at least one kind of element selected from Pt, B, Ru, Hf, Ti, Nb, V and Ta by 0.01 to 1.5%.例文帳に追加

歯科用合金を、Ａｕ：５９〜６５ｗｔ％、Ｃｕ：１１〜１４ｗｔ％、Ｚｎ：２３〜２６ｗｔ％、Ｐｔ，Ｂ，Ｒｕ，Ｈｆ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｖ，Ｔａから選ばれる少なくとも１種の元素：０.０１〜１.５ｗｔ％から成る組成とする。 - 特許庁

A lead electrode 23 extended from an exciting electrode 21 of a crystal oscillator body 2 is made of thin films formed by sputtering or vapor-deposition whose first layer is a Ti film 23a and whose second layer is a Pd film 23b.例文帳に追加

水晶振動体２の励振電極２１から延在する引出電極２３は、スパッタリング又は蒸着により形成された薄膜であり、第一層がＴｉ膜２３ａ、第二層がＰｄ膜２３ｂである。 - 特許庁

In the manufacturing method of the grain-boundary insulated semiconductor capacitor, a molded form composed of a composite oxide using Sr, Ca and Ti as main components is baked for 3-8 hr in a baking furnace having the exhaust-gas oxygen partial pressure of 1×10-23-1×10-27 atm of the maximum temperature zone of a baking temperature in the baking of the molded form.例文帳に追加

本発明の粒界絶縁型半導体コンデンサの製造方法は、Ｓｒ、ＣａおよびＴｉを主成分とする複合酸化物からなる成形体の焼成において、焼成温度の最高温度帯の排出ガス酸素分圧が１×１０^-23〜１×１０^-27atmの焼成炉内で３〜８時間焼成する。 - 特許庁

The binding phase 23 is formed of Ni-based alloy with a second component composed of at least one of Fe, Co, Cr, Ti or with a third component composed of at least one of Nb, Ta, W, Cu, and fixed by thermal spraying to the extra-abrasive grains 24 temporarily fixed onto the base metal 21.例文帳に追加

結合相２３は第２成分をＦｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉの少なくともいずれか、第３成分をＮｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｃｕの少なくともいずれかとしたＮｉ基合金で構成し、台金２１上に仮固定した超砥粒２４に溶射で固定する。 - 特許庁

This layer 23 forming the other electrode is the same layer as a polysilicon layer 141 in a MOS transistor 10, hence no silicide layer is selectively formed therefor, via a silicide process is taken to obtain a Ti silicide layer 142.例文帳に追加

ポリシリコン層２３による他方電極は、ＭＯＳ型トランジスタ１０におけるポリシリコン層１４１と同層であって、Ｔｉシリサイド層１４２を得るシリサイドプロセスを経るが、選択的にシリサイド層を形成しない構成としている。 - 特許庁