ZnO systemとは 意味・読み方・使い方

The direction identifying mark 19 composed of ZrO_2 is formed by simultaneous sintering with the ZnO system varistor device 2.例文帳に追加

このＺｒＯ_２からなる方向識別マーク１９は、ＺｎＯ系バリスタ素子２との同時焼成によって形成されている。 - 特許庁

A direction identifying mark 19 that identifies the upward/downward directions of the ZnO system varistor device 2 is provided on the surface on a protective layer side of the element assembly 3.例文帳に追加

素体３の保護層側の表面には、ＺｎＯ系バリスタ素子２の上下方向を識別するための方向識別マーク１９が設けられている。 - 特許庁

To provide an InxGayAlzN system semiconductor light-emitting element over a ZnO film of good quality orientated on an Si substrate of low cost.例文帳に追加

安価なＳｉ基板を用いてその上に良質なＺｎＯ膜を配向させ、その上方にＩｎxＧａyＡｌzＮ系の半導体発光素子を作製する。 - 特許庁

The oxide sintered compact contains a hexagonal system layered compound expressed by formula: (ZnO)_m(In_2O_3), wherein, m is an integer of 1-19, and Ce.例文帳に追加

（ＺｎＯ）_ｍ（Ｉｎ_２Ｏ_３ｍは、１〜１９の整数である。）で表される六方晶層状化合物及びＣｅを含有する酸化物焼結体。 - 特許庁

To provide a thin film deposition system which does not generate particles when forming a metal element or the compound of the metal element on a substrate, and to provide a ZnO-based thin film using it.例文帳に追加

金属元素や金属元素の化合物を基板上に形成する場合に、パーティクルが発生しないような薄膜形成装置とこれを用いたＺｎＯ系薄膜を提供する。 - 特許庁

The ZnO system varistor device 2 is provided with an element assembly 3 configured such that a varistor, an inductor, and a protective layer are laminated sequentially from below, and terminal electrodes 4 to 6 and an external conductor 7 provided on the surface of the element assembly 3.例文帳に追加

ＺｎＯ系バリスタ素子２は、バリスタ部、インダクタ部及び保護層が下から順に積層されてなる素体３と、この素体３の表面に設けられた端子電極４〜６及び外部導体７を備えている。 - 特許庁

The water gas conversion catalyst for a reforming unit in a fuel cell system comprises a carrier including clay containing ZnO filled between layers and an active substance containing CuO carried on the carrier.例文帳に追加

本発明によれば、ＺｎＯが層間に充填されたクレイを含む担体および担体に担持されたＣｕＯを含む活性物質を含む、燃料電池システムの改質装置用水性ガス転換触媒が提供される。 - 特許庁

The transparent conductive film is preferred to have as a main component either an indium oxide, tin oxide, zinc oxide, F-doped tin oxide, Al-doped zinc oxide, Sb-doped tin oxide, ITO, or In_2O_3-ZnO system amorphous transparent conductive film.例文帳に追加

透明導電膜が酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛、Ｆドープ酸化錫、Ａｌドープ酸化亜鉛、Ｓｂドープ酸化錫、ＩＴＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ系アモルファス透明導電膜の何れかを主成分とすることは好ましい。 - 特許庁