The anode 105 and the impregnated sponge 106 are movable by the motion of an arm 107, and the anode 105 and the impregnated sponge 106 can be retracted to a retracting position B separate from a plating position A.例文帳に追加

陽極１０５及び含浸スポンジ１０６は、アーム１０７の動きにより移動可能で、めっき位置Ａとは別に設けられた待機位置Ｂに陽極１０５及び含浸スポンジ１０６を待避することが可能である。 - 特許庁

Therefore, heat of the insulating oil to which heat from a cooling fin 33 of a fixed anode type X-ray tube 21 is transmitted, can be efficiently transmitted to the C arm 9 wherein heat capacity is greater than that of the X-ray tube device 13.例文帳に追加

したがって、固定陽極型Ｘ線管２１の冷却フィン３３からの熱が伝達された絶縁油の熱を、Ｘ線管装置１３よりも熱容量が大なるＣアーム９に対して効率的に伝達させることができる。 - 特許庁

When the vibration frequency of the vibration excitor 42 matches with the frequency of the vibrations from the rotating anode type X-ray tube 21 transmitted to the FPD 22 through the C shape arm 25 and the phase relation of both becomes opposite, both offset each other.例文帳に追加

加振器４２の振動周波数が、Ｃ型アーム２５を介してＦＰＤ２２に伝わってくる回転陽極型Ｘ線管球２１からの振動の周波数に一致し、両者の位相関係が反対のものとなれば、両者は相殺し合う。 - 特許庁

In the circuit for detecting a failed thyristor 2u in a power converter where an unit arm is constituted by connecting a plurality of series circuits of m pieces of thyristors 2u in parallel, a failure of the thyristor 2u is detected based on the potential difference of the n-th semiconductor switching element from the anode side of the first series-connected thyristor 2u constituting the same arm.例文帳に追加

ｍ個のサイリスタ２ｕを直列接続した回路を複数個並列に接続して単位アームを構成した電力変換装置における故障したサイリスタ２ｕを検出する素子故障検出回路において、同一アームを構成する第１番目の直列接続されたサイリスタ２ｕのアノード側から第ｎ番目の半導体スイッチング素子の電位差に基づき当該サイリスタ２ｕが故障であることを検出する。 - 特許庁

In a power arm element comprising switching elements and diodes connected in inverse-parallel, n-pieces (n≥2) of reflux diodes, which are connected inversely parallel to a switching element 1b, are connected in series, and the breakdown voltage between each anode and cathode is set to be 1/n of that of the switching element 1b.例文帳に追加

スイッチング素子と逆並列接続ダイオードとからなる電力用アーム要素において、スイッチング素子１ｂに逆並列接続される還流ダイオードを、ｎ個（ｎ≧２）直列接続したものにし、それぞれのアノードおよびカソード間の耐圧をスイッチング素子１ｂの耐圧の１／ｎにする。 - 特許庁