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at a single boundとは 意味・読み方・使い方
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「at a single bound」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 8件
The compound is represented by general formula (A) or (C) (wherein, OH group(s) is bound to at least one carbon atom selected from those on the 4-, 5- and 6-sites; and the carbon-carbon bond for the 6-site and 7-site carbon atoms is a single bond or double bond).例文帳に追加
一般式(A)又は(C):[式中、OH基は4位、5位及び6位からなる群から選ばれた少なくとも1種の炭素に結合し、6位と7位との炭素間結合は一重結合又は二重結合を示す。 - 特許庁
The hydrogen occlusion material has a side wall comprised of an atom bound material having a plurality of atoms arranged in a sheet-like state, for example, the tubular molecule such as a single layer carbon nanotube and is constituted so that a cleavage part 12 is formed at the end part.例文帳に追加
シート状をなすように複数の原子が配列されてなる原子結合体からなる側壁を有する例えば単層カーボンナノチューブなどのような筒状分子でなる水素吸蔵材料であって、端部に裂開部分12が形成されている。 - 特許庁
The compound is such one as to contain a single (substituted) 2,5-thiophenediyl group or a plurality thereof mutually bound in a chain manner, wherein a (substituted) 9-carbazolyl group is bound to at least one end of the above single group or at least one end of each of the plurality thereof.例文帳に追加
単数の、置換若しくは無置換の2,5−チオフェンジイル基、又は、互いに鎖状に結合した複数の、置換若しくは無置換の2,5−チオフェンジイル基を含み、単数の置換若しくは無置換の2,5−チオフェンジイル基の末端の少なくとも一方に、又は、互いに鎖状に結合した複数の置換若しくは無置換の2,5−チオフェンジイル基の末端の少なくとも一方に、置換又は無置換の9−カルバゾリル基が結合している化合物とする。 - 特許庁
The suspending chains 61, 62 suspending the lower door body 43b are bound together as a single fourth suspending chain 68 at some midpoints of their entire lengths, and the fourth suspending chain 68 is driven for winding/unwinding by an elevation driving section, to thereby operate the elevation/lowering of the lower door body 43b.例文帳に追加
下側扉体43bを吊持する一対の吊り下げチェーン61、62がその経路途中で1本にまとめられ、そのまとめられた第4吊り下げチェーン68を昇降駆動部により巻き上げ・巻き下ろし駆動することによって下側扉体43bが昇降操作される。 - 特許庁
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「at a single bound」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 8件
The magnesium oxide nanobelt and its composite, which form a network having each of single crystal and linear magnesium oxide nanobelts bound to neighboring magnesium oxide nanobelts in a T-shpe or a cross-shape on a silicon wafer, a molybdenum wafer or a tantalum wafer, are produced by heating a mixed shaped article of magnesium and aluminum at 900°C-1,000°C under vacuum.例文帳に追加
マグネシウムとアルミニウムの混合成形体を減圧下で900℃〜1000℃に加熱してシリコンウエハー、モリブデンウエハー又はタンタルウエハー上に、単結晶で線状の個々の酸化マグネシウムナノベルトが近隣の酸化マグネシウムナノベルトとT字状若しくは十字状に連結し、網状組織を形成している酸化マグネシウムナノベルトとその複合体を製造する。 - 特許庁
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