atomic vacancyとは 意味・読み方・使い方

QUANTITATIVE EVALUATION DEVICE AND METHOD OF ATOMIC VACANCY EXISTING IN SILICON WAFER例文帳に追加

シリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価装置および方法 - 特許庁

In the wiring layer 11, atomic vacancy in a film is discharged by a high-stain film 36 having strain higher than that of Cu (copper) and heat treatment.例文帳に追加

配線層１１は、Ｃｕ（銅）よりも応力が高い高応力膜３６と熱処理により膜中の原子空孔（Vacancy）が排出される。 - 特許庁

In the wiring layer 6, atomic vacancy in a film is discharged by a high-stain film 26 having strain higher than that of Cu (copper) and heat treatment.例文帳に追加

配線層６は、Ｃｕ（銅）よりも応力が高い高応力膜２６と熱処理により膜中の原子空孔（Vacancy）が排出される。 - 特許庁

QUANTITATIVE EVALUATION DEVICE AND METHOD FOR ATOMIC VACANCY EXISTING IN SILICON WAFER, SILICON WAFER MANUFACTURING METHOD, AND THIN-FILM OSCILLATOR例文帳に追加

シリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価装置、その方法、シリコンウェーハの製造方法、及び薄膜振動子 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, capable of easily processing shapes different in etching depth on a same surface without inducing a defect (group V atomic vacancy) by desorption of a constituent atom of a semiconductor and causing degradation of a surface morphology.例文帳に追加

半導体の構成原子の脱離による欠陥（Ｖ族原子空格子）の誘起または表面モフォロジーの劣化を生じさせずに、同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

An SOI substrate is manufactured by performing first thermal treatment for forming an atomic vacancy and second thermal treatment for implanting oxygen ions with which an oxygen ion implanted layer is formed, and for changing the oxygen ion implanted layer into a buried oxide film on a single crystal silicon substrate.例文帳に追加

単結晶シリコン基板に対し、少なくとも、基板内に原子空孔を発生させる第１の熱処理と、酸素イオン注入層を形成する酸素イオン注入と、前記酸素イオン注入層を埋め込み酸化膜層に変化させる第２の熱処理を行なうことによりＳＯＩ基板を製造する。 - 特許庁