原子空孔の英語

ＧａＮ基板１のＦｅドープＧａＮ層１４は、遷移金属原子であるＦｅ原子が添加されたIII族窒化物半導体結晶であって、Ｇａ原子空孔密度が１×１０^１６ｃｍ^−３以下である。例文帳に追加

A Fe-doped GaN layer 14 of a GaN substrate 1 comprises group III nitride semiconductor crystals with Fe atoms as transition metal atoms added, and Ga atom vacancy density is 1×10^16 cm^-3 or less. - 特許庁

空孔が優勢となるＶリッチ領域と格子間原子が優勢となるＩリッチ領域が結晶軸方向に形成され、両者の境界部で空孔と格子間原子の対消滅により無欠陥部が形成される。例文帳に追加

Thereby, V-enriched area wherein vacancies are predominant and I-enriched area wherein interstitial atoms are predominant are formed in the crystal axis direction, and a part free from defects is formed because of the annihilation of the vacancies and interstitial atoms by coupling at the boundary part of both areas. - 特許庁

効率的にシリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価を行うことができる原子空孔の定量評価装置及び定量評価方法を提供する。例文帳に追加

To provide a quantitative evaluation device and method for atomic vacancies, which can efficiently perform the quantitative evaluation of the atomic vacancies existing in a silicon wafer. - 特許庁

窒素原子を含む面上にｎ型電極１２を備えたＧａＮ系半導体を有する半導体素子において、ｎ型電極１２と接し、（III族原子数）／（V族原子数）が１よりも大きいＶ族原子の空孔領域１１を設ける。例文帳に追加

A hole region 11 of group V atom that contacts the n-type electrode 12 and where ratio (group III atomic number/group V atomic number) is larger than 1 is provided in a semiconductor device having the GaN-based semiconductor where the electrode 12 is provided on the surface containing nitrogen atoms. - 特許庁

低誘電率絶縁膜を形成するための溶液は、シリコンレジン２と、主としてシリコン原子及び酸素原子よりなり多数の空孔を有する微粒子３と、溶媒４とを含んでいる。例文帳に追加

A solution for forming the insulation film with low dielectric constant contains a silicone resin 2, fine particles 3 with numerous voids mainly comprising silicon atoms and oxygen atoms and a solvent 4. - 特許庁

従って試験配線内でのＥＭに起因するＡｌ原子の移動により生ずる空孔が流入するＡｌ原子により補充されず、これにより正確なＥＭ評価が可能になる。例文帳に追加

Accordingly, holes generated by the movement of Al atoms resulting from an EM in the test wirings are not supplemented by flowing-in Al atoms, thus allowing accurate EM evaluation. - 特許庁

配線層６は、Ｃｕ（銅）よりも応力が高い高応力膜２６と熱処理により膜中の原子空孔（Vacancy）が排出される。例文帳に追加

In the wiring layer 6, atomic vacancy in a film is discharged by a high-stain film 26 having strain higher than that of Cu (copper) and heat treatment. - 特許庁

配線層１１は、Ｃｕ（銅）よりも応力が高い高応力膜３６と熱処理により膜中の原子空孔（Vacancy）が排出される。例文帳に追加

In the wiring layer 11, atomic vacancy in a film is discharged by a high-stain film 36 having strain higher than that of Cu (copper) and heat treatment. - 特許庁