cladding layerとは 意味・読み方・使い方

On a semiconductor substrate 1, a marker layer 2, a first cladding layer 3, an etch stop layer 4, a second cladding layer 5, an active layer 6, a third cladding layer 7, and a cap layer 8 are successively grown.例文帳に追加

半導体基板１上にマーカー層２，第一クラッド層３，エッチストップ層４，第二クラッド層５，活性層６，第三クラッド層７及びキャップ層８を順次成長させる。 - 特許庁

The n-cladding layer 3 is formed on a semiconductor substrate 2, the active layer 4 is formed on the n-cladding layer 3, the p-cladding layer 5 is formed on the active layer 4, and the mesa structures 7 to 9 are formed on a portion of the p-cladding layer 5.例文帳に追加

ｎ−クラッド層３は半導体基板２上に、活性層４はｎ−クラッド層３上に、ｐ−クラッド層５は活性層４上に、メサ構造７−９はｐ−クラッド層５の一部上に形成される。 - 特許庁

A GaN buffer layer 2, an n-type GaN layer 3, an n-type AlGaInN cladding layer 4, a GaN active layer 5, a p-type AlGaInN cladding layer 6, and a p-type GaN layer 7 are sequentially deposited on a sapphire substrate 1 in this order.例文帳に追加

サファイア基板１上にGaNバッファ層２、n-GaN層３、n-AlGaInNクラッド層４、GaN活性層５、p-AlGaInNクラッド層６、p-GaN層７を順次堆積する。 - 特許庁

A dielectric mask is formed on a cladding layer (S4), after growing an SCH layer, active layer, SCH layer, and cladding layer on a substrate (S3).例文帳に追加

基板上にＳＣＨ層、活性層、ＳＣＨ層、クラッド層を成長させ（Ｓ３）、クラッド層上に誘電体マスクを形成する（Ｓ４）。 - 特許庁

An active layer 105 is formed on a cladding layer 104.例文帳に追加

クラッド層１０４の上に、活性層１０５が形成されている。 - 特許庁

The p-type cladding layer 16 is formed on the light-emitting layer 15.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１６は、発光層１５上に形成される。 - 特許庁

The light-emitting layer 15 is formed on the n-type cladding layer 12.例文帳に追加

発光層１５は、ｐ型クラッド層１２上に形成される。 - 特許庁

A cladding layer 24 is then formed on the diffraction grating layer G_n.例文帳に追加

次に、回折格子層Ｇ_ｎ上にクラッド層２４を形成する。 - 特許庁