compositional uniformityとは 意味・読み方・使い方

To provide a Sr_2-XCa_XNaNb_5O_15-based piezoelectric ceramic composition improved in compositional uniformity and fine structural uniformity, suppressing generation of cracks and improved in piezoelectric characteristics.例文帳に追加

組成物の組成均一性、及び微細組織の均一性を向上して、クラックの発生を抑制し、圧電特性の向上を可能とする、Ｓｒ_２−ｘＣａ_ｘＮａＮｂ_５Ｏ_１５系の圧電磁器組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a rare earth-ferromagnetic metallic target capable of increasing the utilizing efficiency more than the conventional case while securing the uniformity of the compositional distribution of a thin film to be formed at the time of sputtering.例文帳に追加

スパッタ時に形成される薄膜の組成分布を均一性を確保しつつ、従来よりもさらに利用効率を高めることができる希土類−強磁性金属系ターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a highly pure copper alloy sputtering target capable of forming a wiring film which has small wiring resistance, resistances to electro- migration and oxidation and excellent film compositional uniformity and film thickness uniformity, and to provide parts used in an apparatus for forming the thin film.例文帳に追加

配線抵抗が小さく、エレクトロマイグレーション耐性や耐酸化性に優れ、さらには膜組成均質性と膜厚均質性に優れた配線膜を形成することが可能であるような高純度銅合金スパッタリングターゲットと薄膜形成装置部品を提供する。 - 特許庁

Optical gain characteristics of the quantum well layers are influenced by the compositional uniformity of surrounding layers, the dot size distribution, the dot density, and the number of layers of the dots that can be placed in an active region without exceeding a critical thickness for forming dislocation.例文帳に追加

前記量子井戸層の光学的ゲイン特性はまわりの層の組成不均一、ドットサイズ分布、ドット密度、及び、転移形成のための臨界厚みを超えることなく活性領域内に配置可能なドットレイヤの数によって影響される。 - 特許庁

When vacuum deposition is performed, the frequency in the collision of the respective particles is increased by the presence of the Ar gas, thus Si and Co are sufficiently mixed, and an Si-Co alloy film 35 having satisfactory compositional uniformity can be formed on a base material sheet 31.例文帳に追加

真空蒸着を行うと、Ａｒガスの存在によって、各粒子の衝突回数が増大するので、Ｓｉ，Ｃｏが十分混合されて、基材シート３１上に、組成均一性の良好なＳｉ−Ｃｏ合金膜３５が形成される。 - 特許庁

To provide a vapor phase thin film epitaxial growth system and a vapor phase thin film epitaxial growth method in which production per butch of film depositing operation can be increased without sacrifice of the thickness of a thin film being deposited on an article being processed and the uniformity of compositional ratio.例文帳に追加

被処理体上に成膜される薄膜の膜厚および組成成分比の均一性を損なうことなく、成膜操作の１バッチ当たりの生産量を増加することのできる気相薄膜成長装置および気相薄膜成長方法を提供する。 - 特許庁