covered trenchとは 意味・読み方・使い方

An inner wall face of the trench 10 is covered by a gate insulation layer 11, and a gate layer 12 is embedded to the inside of the trench 10.例文帳に追加

トレンチ１０の内壁面はゲート絶縁層１１によって被覆され、トレンチ１０の内部にはゲート層１２が埋め込まれている。 - 特許庁

A pad structure is covered, and a first insulating layer with which the trench is filled is formed.例文帳に追加

先ずパッド構造を被覆し、トレンチを充填する第１絶縁層を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device 100, a trench 5 is formed on the surface side of a semiconductor substrate, and the opening of the trench 5 is covered with a laminate insulating film 3, thus covering the trench 5.例文帳に追加

半導体装置１００は，半導体基板の表面側にトレンチ５が形成され，ラミネート絶縁膜３にてトレンチ５の開口部を覆い，トレンチ５を密閉する。 - 特許庁

The ridge 16 and trench 15 are heat-processed in a nitrogen atmosphere after being covered with a gallium film 23.例文帳に追加

リッジ１６及びトレンチ１５をガリウム膜２３で覆った後に、窒素雰囲気中で熱処理を行う。 - 特許庁

A horizontal ledge appears adjacent to the trench, on the exposed surface of the substrate covered with the oxide by removal of the spacer.例文帳に追加

スペーサの除去により、トレンチに隣接して、酸化物で覆われた基板の露出した表面上に水平のレッジが現れる。 - 特許庁

The inner wall of the trench 5 formed on the surface of a semiconductor substrate 4 is covered with a first semiconductor layer 22.例文帳に追加

半導体基板４の表面に形成されたトレンチ５の内壁面を第１の半導体層２２が被覆している。 - 特許庁

The floating gate 8 is arranged at a position deeper than the gate electrode 12 in the trench 11, and has a wall surface covered with the insulating film 22.例文帳に追加

浮遊電極８は、トレンチ１１内のゲート電極１２より深い位置に配置されており、壁面が絶縁膜２２で被覆されている。 - 特許庁

The trench electrodes 22 and 24 are provided in the gap L, and has an insulating film 24 and a conductor 22 covered with the insulating film.例文帳に追加

トレンチ電極２２,２４は、間隙Ｌ内に設けられており、絶縁膜２４とその絶縁膜で被覆された導電体２２を有する。 - 特許庁