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covered trenchとは 意味・読み方・使い方
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「covered trench」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 42件
The trench gate 2 is covered with a gate oxide film 3.例文帳に追加
トレンチゲート2は、ゲート酸化膜3で覆われている。 - 特許庁
The inner surface of the trench is covered with an insulating film.例文帳に追加
トレンチの内面は絶縁膜に覆われている。 - 特許庁
The sidewall silicon part of the trench sidewall is covered with a trench sidewall oxide layer 30.例文帳に追加
トレンチ側壁の側壁シリコン部分を、トレンチ側壁酸化物層30で覆う。 - 特許庁
The side wall of the trench 15 is covered with a spacer 16, and a polycrystalline silicon film 20 is buried in the trench.例文帳に追加
溝15の側壁をスペーサ16で被覆し、多結晶シリコン膜20で埋設する。 - 特許庁
The surface of a trench is covered with a protective film, and only the protective film covering the footprint of the trench is removed to expose the silicon surface to the footprint of the trench.例文帳に追加
トレンチ表面を保護膜で被覆し、トレンチの底部を被覆する保護膜のみを除去して、トレンチの底部にシリコン面を露出させる。 - 特許庁
Since the entrance of the trench of the surface of a silicon substrate is not covered with the mask, this part is surely etched, too, and the trench of smooth form is formed.例文帳に追加
シリコン基板表面の溝の入口がマスクで覆われていないので、その部分も確実にエッチングされ、滑らかな形状の溝が形成される。 - 特許庁
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「covered trench」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 42件
An inner wall face of the trench 10 is covered by a gate insulation layer 11, and a gate layer 12 is embedded to the inside of the trench 10.例文帳に追加
トレンチ10の内壁面はゲート絶縁層11によって被覆され、トレンチ10の内部にはゲート層12が埋め込まれている。 - 特許庁
A pad structure is covered, and a first insulating layer with which the trench is filled is formed.例文帳に追加
先ずパッド構造を被覆し、トレンチを充填する第1絶縁層を形成する。 - 特許庁
In the semiconductor device 100, a trench 5 is formed on the surface side of a semiconductor substrate, and the opening of the trench 5 is covered with a laminate insulating film 3, thus covering the trench 5.例文帳に追加
半導体装置100は,半導体基板の表面側にトレンチ5が形成され,ラミネート絶縁膜3にてトレンチ5の開口部を覆い,トレンチ5を密閉する。 - 特許庁
The ridge 16 and trench 15 are heat-processed in a nitrogen atmosphere after being covered with a gallium film 23.例文帳に追加
リッジ16及びトレンチ15をガリウム膜23で覆った後に、窒素雰囲気中で熱処理を行う。 - 特許庁
A horizontal ledge appears adjacent to the trench, on the exposed surface of the substrate covered with the oxide by removal of the spacer.例文帳に追加
スペーサの除去により、トレンチに隣接して、酸化物で覆われた基板の露出した表面上に水平のレッジが現れる。 - 特許庁
The inner wall of the trench 5 formed on the surface of a semiconductor substrate 4 is covered with a first semiconductor layer 22.例文帳に追加
半導体基板4の表面に形成されたトレンチ5の内壁面を第1の半導体層22が被覆している。 - 特許庁
The floating gate 8 is arranged at a position deeper than the gate electrode 12 in the trench 11, and has a wall surface covered with the insulating film 22.例文帳に追加
浮遊電極8は、トレンチ11内のゲート電極12より深い位置に配置されており、壁面が絶縁膜22で被覆されている。 - 特許庁
The trench electrodes 22 and 24 are provided in the gap L, and has an insulating film 24 and a conductor 22 covered with the insulating film.例文帳に追加
トレンチ電極22,24は、間隙L内に設けられており、絶縁膜24とその絶縁膜で被覆された導電体22を有する。 - 特許庁
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