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意味・対訳 デプリーション型
「depletion-type」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 281件
FULL DEPLETION SOI-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加
完全空乏SOI型半導体装置及び集積回路 - 特許庁
NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND DEPLETION TYPE MOS TRANSISTOR例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置、及びディプレッション型MOSトランジスタ - 特許庁
COMPLETE DEPLETION TYPE SOI-MOS TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
完全空乏型SOI−MOSトランジスタおよびその製造方法 - 特許庁
PARTIAL DEPLETION SOI TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION THEREOF例文帳に追加
部分空乏型のSOI型半導体装置及びその製造方法 - 特許庁
A depletion transistor of an ED type reference voltage is constituted of a plurality of depletion transistors connected in series, and a gate terminal of a cascode depletion transistor is connected to the connection point of the depletion transistors of the ED type reference voltage.例文帳に追加
ED型基準電圧のデプレッショントランジスタを直列に接続した複数のデプレッショントランジスタで構成し、カスコード用デプレッショントランジスタのゲート端子をED型基準電圧のデプレッショントランジスタの接続点に接続する構成とした。 - 特許庁
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「depletion-type」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 281件
A depletion layer formed between the N--type layer 5 and the body region 9 extends to the N--type layer 5.例文帳に追加
N^-層5とPボディ領域9との間に形成される空乏層はN^-層5側に延びる。 - 特許庁
The electrooptical device is characterized in that a peripheral circuit is composed of a P type transistor as a partial depletion type channel layer and a transistor connected to a pixel electrode is a P type transistor as a complete depletion type channel layer.例文帳に追加
周辺回路は、部分空乏型のチャネル層であるP型トランジスタによって構成され、画素電極に接続するトランジスタは、完全空乏型のチャネル層であるP型トランジスタである電気光学装置とする。 - 特許庁
The memory includes a partial depletion type nMOS (6) having an SOI structure formed on an UTB (3).例文帳に追加
メモリは、UTB(3)上に形成されたSOI構造を有する部分空乏型のnMOS(6)を含む。 - 特許庁
SATURATION SIMULATION METHOD FOR COLLECTOR DEPLETION LAYER CAPACITY OF HETEROJUNCTION TYPE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加
ヘテロ接合型バイポ—ラトランジスタのコレクタ空乏層容量の飽和のシミュレーション法 - 特許庁
To provide a full depletion SOI type semiconductor device, where a threshold voltage is controlled dynamically (changed).例文帳に追加
閾値電圧V_thを動的に制御(変更)し得る完全空乏SOI型半導体装置を提供する。 - 特許庁
SILICON SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND PARTIAL DEPLETION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
シリコン基板およびその製造方法並びに部分空乏型の電界効果トランジスタ - 特許庁
The depletion layer extended from the junction part 23 is also spread in a p- type silicon single crystalline region 17.例文帳に追加
また、p^-型シリコン単結晶領域17中には、接合部23から延びてきた空乏層が広がる。 - 特許庁
The vertical MISFETs (SV_1, SV_2) are perfect depletion-type MISFETs.例文帳に追加
縦型MISFET(SV_1、SV_2)は、完全空乏型MISFETで構成されている。 - 特許庁
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