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diamond layerとは 意味・読み方・使い方
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「diamond layer」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 652件
SILICON WAFER COMPRISING DIAMOND LAYER例文帳に追加
ダイヤモンド層を有するシリコンウエハ - 特許庁
METHOD FOR PROCESSING SURFACE LAYER OF DIAMOND例文帳に追加
ダイヤモンドの表層加工方法 - 特許庁
A B-doped diamond layer 2 is formed on a first undoped diamond layer 1.例文帳に追加
第1のアンドープダイヤモンド層1上にBドープダイヤモンド層2を形成する。 - 特許庁
The metal welding material layer is then coated with a diamond or diamond-like carbon layer.例文帳に追加
この後、溶接材料金属層の上をダイヤモンド又はダイヤモンドライクカ−ボン層で被覆する。 - 特許庁
A first diamond layer 1 and a second luminous diamond layer 2 are joined with each other.例文帳に追加
第1のダイヤモンド層1と発光する第2のダイヤモンド層2とが接合されている。 - 特許庁
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「diamond layer」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 652件
A high resistive diamond layer 2 with a higher resistance value than a low resistive diamond layer 1 is formed on one face of the low resistive diamond layer 1, and a carrier generation layer is constituted of the low resistive diamond layer 1 and the high resistive diamond layer 2.例文帳に追加
低抵抗ダイヤモンド層1の一方の面上に、低抵抗ダイヤモンド層1よりも抵抗値が高い高抵抗ダイヤモンド層2を形成し、この低抵抗ダイヤモンド層1及び高抵抗ダイヤモンド層2によりキャリア発生層を構成する。 - 特許庁
Thereafter, an updoped diamond layer 4 and a boron-doped diamond layer 5 are formed by a CVD (chemical vapor deposition) method, and an electrode 6 is formed on the boron-doped diamond layer 5.例文帳に追加
その後、CVD法によりアンドープダイヤモンド層4及びボロンドープダイヤモンド層5を形成し、このボロンドープダイヤモンド層5の上に電極6を形成する。 - 特許庁
A p-type semiconductor diamond layer 3 serving as a light emitting layer is selectively formed on the high resistive diamond layer 2.例文帳に追加
また、高抵抗ダイヤモンド層2上には、発光層となるp型半導体ダイヤモンド層3を選択的に形成する。 - 特許庁
Therefore, the resistance of the first diamond layer 1 is mode higher than that of the second luminous diamond layer 2.例文帳に追加
このため、第1のダイヤモンド層1の抵抗は発光する第2のダイヤモンド層2のそれよりも高い。 - 特許庁
A high-concentration boron-doped diamond thin-film layer 102 is grown on a diamond crystal layer 1(Fig. 1(a)).例文帳に追加
ダイヤモンド結晶層1の上に、高濃度ホウ素ドープダイヤモンド薄膜層102を成長する(図1(a))。 - 特許庁
In the method for fabricating the diamond substrate, an SiC layer is formed on the lower surface of a diamond film layer for preventing the diamond film layer from being deformed in the process of forming the diamond substrate, and then a semiconductor layer is formed on the diamond film layer or directly formed on the lower surface of the SiC layer.例文帳に追加
ダイヤモンド基板を形成する工程でダイヤモンド・フィルム層の変形を防止するためダイヤモンド・フィルム層の下部表面にSiC層が形成され、次に半導体層がダイヤモンド・フィルム層の上に形成されるか、またはSiC層の下部表面に直接形成される。 - 特許庁
Next, a protective film is adhered on the diamond or diamond like carbon polishing stop layer.例文帳に追加
次にダイヤモンドまたはダイヤモンド様炭素研磨停止層上に保護膜が付着される。 - 特許庁
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