diamond layersとは 意味・読み方・使い方

Synthetic monocrystalline diamond compositions have one or more monocrystalline diamond layers formed by chemical vapor deposition, wherein the layers include one or more layers having an increased concentration of one or more impurities (such as boron and/or isotopes of carbon), as compared to other layers or comparable layers without such impurities.例文帳に追加

化学気相成長によって形成される１つ又は複数の単結晶ダイヤモンド層を有する、合成単結晶ダイヤモンド組成物であって、該層が、不純物のない他の層又は同様の層と比べて、（ホウ素及び／又は炭素同位体などの）１つ又は複数の不純物の濃度が増加した１つ又は複数の層を含む。 - 特許庁

Moreover, the diamond layer 3 and the silicon substrate 1 are bonded via the SiO_2 layers 2 formed in both the diamond layer 3 and the silicon substrate 1.例文帳に追加

そして、ダイヤモンド層３及びシリコン基板１の双方に形成されたＳｉＯ_２層２を介してダイヤモンド層３とシリコン基板１とを接合する。 - 特許庁

High-concentration doped diamond layers 7a and 7b having an impurity concentration higher than that of the low-concentration diamond layer 4 are formed by the epitaxial growth method on both sides of the low-concentration doped diamond layer 4.例文帳に追加

次に、低濃度ドープダイヤモンド層４の両側に、エピタキシャル成長により低濃度ドープダイヤモンド層４よりも不純物濃度が高い高濃度ドープダイヤモンド層７ａ及び７ｂを形成する。 - 特許庁

The lowermost layer and the uppermost layer of the lamellar structure are the diamond sintered compact layer and each of the diamond sintered compact layer and the SiC fiber layer is formed from two or more layers.例文帳に追加

層状組織の最下層と最上層がダイヤモンド焼結体層であり、ダイヤモンド焼結体層およびＳｉＣ繊維層のそれぞれが、２層以上の層からなる。 - 特許庁

The gap layer 2 is then dissolved and removed and a high resistance diamond layer 4 is formed to cover a part of the substrate 1 and the conductive diamond layers 3a and 3b.例文帳に追加

その後、ギャップ層２を溶解除去し、基板１並びに導電性ダイヤモンド層３ａ及び３ｂの一部を覆うように高抵抗ダイヤモンド層４を形成する。 - 特許庁

And semiconductor diamond layers 5a, 5b are formed on the region on the surface of the substrate 1 with no epitaxial mask 4 formed with the epitaxial growth of the diamond.例文帳に追加

そして、基板１表面のエピタキシャルマスク４が形成されていない領域上にダイヤモンドをエピタキシャル成長させて、半導体ダイヤモンド層５ａ及び５ｂを形成する。 - 特許庁

Between the heavily doped diamond layers 2 and 3, a diamond layer 4 doped extremely lightly with B and becoming a channel layer, a diamond layer 6 doped with B and becoming a gate, and a diamond layer 5 doped extremely lightly with B and becoming a channel layer are formed in this order.例文帳に追加

また、高ドープダイヤモンド層２と高ドープダイヤモンド層３との間には、極低濃度にＢがドープされチャネル層となる低ドープダイヤモンド層４、Ｂがドープされゲートとなるドープダイヤモンド層６、及び極低濃度にＢがドープされチャネル層となる低ドープダイヤモンド層５をこの順に形成する。 - 特許庁

Meanwhile, a second undoped diamond layer 4 is formed so as to cover a wiring part 2c of the diamond layer 2 on the diamond layer 1 in a middle part of the flow sensor 10 where the diamond layers 3a and 3b are not formed, thus forming the flow sensor.例文帳に追加

一方、低抵抗Ｂドープダイヤモンド層３ａ及び３ｂが形成されていない流量センサ１０の中央部分の第１のアンドープダイヤモンド層１上には、Ｂドープダイヤモンド層２の配線部２ｃを覆うように第２のアンドープダイヤモンド層４を形成して流量センサとする。 - 特許庁