electrode division methodとは 意味・読み方・使い方

DIVISION METHOD OF BACK ELECTRODE TYPE SOLAR CELL AND BACK ELECTRODE TYPE SOLAR CELL例文帳に追加

裏面電極型太陽電池セルの分割方法及び裏面電極型太陽電池セル - 特許庁

To achieve lower cost compared with a photolithography method by enabling the uniform division of an electrode even if a separating wall is formed as an electrode dividing structure at a large size substrate.例文帳に追加

大判の基板に電極分割構造としての隔壁を作成する場合も一様に電極を分割でき、フォトリソグラフィー法に比較して低コスト化を図ることを可能にする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a chip resistor that prevents burr in division, ensures good division along the slit, eliminates the need for complicated paste print work at electrode or resistor formation, and enables the electrode or resistor to be formed satisfactorily and a chip resistor created by this method.例文帳に追加

分割時のバリの発生を防止するとともに、スリットに沿った分割を良好に行うことができ、さらに、電極や抵抗体等の形成に際して、ペーストの印刷作業が繁雑とならない等、電極や抵抗体等の形成を良好に行なうことができるチップ抵抗器の製造方法とチップ抵抗器を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a leadless electronic part making solder wettability excellent by preventing the oxidation of the cut section of an outside electrode made by the division of the leadless electronic part.例文帳に追加

本発明は、リードレス電子部品の分割によってできる外部電極の切断面の酸化を防止して、はんだ濡れを良好にできるようにしたリードレス電子部品の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display element that suppresses light leakage from a pixel electrode division portion and has a high aperture ratio, and to provide a method for manufacturing a liquid crystal display element.例文帳に追加

画素電極分割部からの光リークを抑制するとともに開口率の大きい液晶表示素子及び液晶表示素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the division method of a nitride semiconductor wafer, having a process for cleaving the nitride semiconductor wafer for obtaining a nitride semiconductor element 1, where a p electrode 10 is laminated on a nitride semiconductor layer 3, the p electrode 10 is pressed down to the nitride semiconductor layer 3 by an electrode hold-down film 51, before the process of cleaving the nitride semiconductor wafer.例文帳に追加

窒化物半導体層３上にｐ電極１０を積層してなる窒化物半導体素子１を得るための窒化物半導体ウエハを劈開する工程を備えた窒化物半導体ウエハの分割方法において、窒化物半導体ウエハを劈開する工程の前に、ｐ電極１０を電極押込膜５１で窒化物半導体層３に押さえ込む。 - 特許庁