emitter-base junctionとは 意味・読み方・使い方

In a bipolar transistor using an SiGe mixed crystal layer as a base, the Ge compsns. of an emitter-base junction region and base-collector junction region which is adjacent the base layer are made higher than the Ge compsn. of the base layer.例文帳に追加

SiGe混晶層をベースに用いたバイポーラトランジスタにおいて、ベース層に隣接するエミッタ-ベース接合領域とベース−コレクタ接合領域のGe組成を、ベース層のGe組成よりも高くした構造。 - 特許庁

In one embodiment, the bipolar junction transistor has a collector, an intrinsic base, an external base, and an emitter in a relationship to lamination.例文帳に追加

一実施形態では、バイポーラ接合型トランジスタは積層関係にあるコレクタ、真性ベース、外部ベースおよびエミッタを備えている。 - 特許庁

The base/collector junction turns into the bonding of the collector well and the base well so that an interval between the collector and the emitter can be shortened.例文帳に追加

ベース／コレクタ接合がコレクタ井戸とベース井戸の接合になることにより、コレクタとエミッタの間隔が短縮される。 - 特許庁

To reduce a transistor in parasitic resistance in a state of realizing shallow junction of an emitter base, in a method of manufacturing a bipolar transistor whose emitter diffusion layer is formed by diffusing impurities from an emitter polysilicon electrode.例文帳に追加

エミッタポリシリコン電極からの不純物拡散によってエミッタ拡散層を形成するバイポーラトランジスタの製造方法において、エミッタベースの浅接合を実現した状態でトランジスタの寄生抵抗を低減させる。 - 特許庁

In the bipolar transistor, an emitter electrode lead layer 9 is formed into such a shape as to completely cover the emitter region 5 and a depletion region 21 near the junction between the emitter region 5 and the base region 3.例文帳に追加

バイポーラトランジスタにおいて、エミッタ電極引き出し配線層９をエミッタ領域５と、エミッタ領域５とベース領域３との接合近傍での空乏層領域２１を完全に覆うような形状とする。 - 特許庁

The junction bipolar transistor 100 includes a collector layer 130, a base layer 140 jointed with the collector layer 130, the base electrodes 142 formed on the base layer 140, an emitter layer 150 jointed with the base layer 140, and an emitter electrode 152 formed on the emitter layer 150.例文帳に追加

接合型バイポーラトランジスタ１００は、コレクタ層１３０と、コレクタ層１３０に接合されるベース層１４０と、ベース層１４０に形成されるベース電極１４２と、ベース層１４０に接合されるエミッタ層１５０と、エミッタ層１５０に形成されるエミッタ電極１５２とを有する。 - 特許庁

As shown in Fig. B, concentration distribution of the base region on the side nearer base-to- collector junction face is made deeper than that of a base-to-emitter junction face.例文帳に追加

図１Ｂに示すように、ベース領域の濃度分布が、ベースエミッタ接合面側よりもベースコレクタ接合面側に近づくにつれて濃くなっている。 - 特許庁

HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR EQUIPPED WITH SINGLE CRYSTAL EXTERNAL BASE AND EMITTER, AND METHOD RELATED THERETO例文帳に追加

単結晶外部ベース及びエミッタを備えたヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ及び関連する方法 - 特許庁