emitter-base junctionとは 意味・読み方・使い方

In a bipolar transistor using an SiGe mixed crystal layer as a base, the Ge compsns. of an emitter-base junction region and base-collector junction region which is adjacent the base layer are made higher than the Ge compsn. of the base layer.例文帳に追加

SiGe混晶層をベースに用いたバイポーラトランジスタにおいて、ベース層に隣接するエミッタ-ベース接合領域とベース−コレクタ接合領域のGe組成を、ベース層のGe組成よりも高くした構造。 - 特許庁

Hence the diffusion of B from the base layer can be suppressed by making higher the Ge compsns. of the emitter- base junction region and base-collector junction region, which sandwich the base layer than the Ge compsn. of the base layer.例文帳に追加

したがって、ベース層を挟むエミッタ-ベース接合領域とベース−コレクタ接合領域のGe組成を、ベース層のGe組成よりも高くすることにより、ベース層からのBの拡散を抑制できる。 - 特許庁

HETERO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR EQUIPPED WITH SINGLE CRYSTAL EXTERNAL BASE AND EMITTER, AND METHOD RELATED THERETO例文帳に追加

単結晶外部ベース及びエミッタを備えたヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ及び関連する方法 - 特許庁

The base/collector junction turns into the bonding of the collector well and the base well so that an interval between the collector and the emitter can be shortened.例文帳に追加

ベース／コレクタ接合がコレクタ井戸とベース井戸の接合になることにより、コレクタとエミッタの間隔が短縮される。 - 特許庁

In one embodiment, the bipolar junction transistor has a collector, an intrinsic base, an external base, and an emitter in a relationship to lamination.例文帳に追加

一実施形態では、バイポーラ接合型トランジスタは積層関係にあるコレクタ、真性ベース、外部ベースおよびエミッタを備えている。 - 特許庁

This mitigates an electric field of an insulating film in the vicinity of an end of the junction part between the emitter layer and the base layer close to the emitter layer and provided with a gate.例文帳に追加

これにより、エミッタ層と、そのエミッタ層に近接する、ゲートが設けられるベース層との接合部の端部近傍の絶縁膜の電界を緩和する。 - 特許庁

The hetero-junction bipolar transistor 100 is provided with collector layers 2, 3, a base layer 4, an emitter layer 5 and an emitter contact mesa 6 which are laminated in this order on a substrate 1.例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ１００は、基板１上に順次に積層されたコレクタ層２、３、ベース層４、エミッタ層５およびエミッタコンタクトメサ６を有する。 - 特許庁

Due to such a structure, a base-collector junction capacitance C_BC and a base-emitter junction capacitance C_BE are significantly reduced, and the high frequency characteristics of the bipolar transistor can be improved.例文帳に追加

このような構成とすることにより、ベース・コレクタ接合容量C_BCおよびベース・エミッタ接合容量C_BEが大幅に低減され、バイポーラトランジスタの高周波特性を向上させることが可能となる。 - 特許庁