ge dとは 意味・読み方・使い方

Chemical precursors of the formula (F3C)4-m-nMXmRn are preferred, wherein M is Si or Ge, X is halogen, R is H or D, m is 0, 1, 2 or 3, and n is 0, 1, 2 or 3, with the provision that (m+n)≤3.例文帳に追加

化学式(F_3C)_4-m-nMX_mR_nの化学前駆体が好適であり、ここでMはSi若しくはGeであり、Xはハロゲンであり、RはH若しくはDであり、mは0、1、2若しくは3であり、nは0、1、2若しくは3であり、条件(m+n)≦3を有する。 - 特許庁

At this time, the content (b) of Ge can be 10 at.%≤b≤15 at.%, the content (c) of Sb can be 20 at.%≤c≤25 at.%, and the content (d) of Te can be 40 at.%≤d≤55 at.%.例文帳に追加

このとき、Ｇｅの含有量（ｂ）は１０ａｔ．％≦ｂ≦１５ａｔ．％であり、Ｓｂの含有量（ｃ）は２０ａｔ．％≦ｃ≦２５ａｔ．％であり、Ｔｅの含有量（ｄ）は４０ａｔ．％≦ｄ≦５５ａｔ．％でありうる。 - 特許庁

That means, the quantity of electrons to be outputted from the drain D changes due to the input of both application potential to a gate electrode GE and reverse spin quantity to be implanted from the reverse spin implanting section R.例文帳に追加

すなわち、ゲート電極ＧＥへの印加電位と、逆スピン注入部Ｒから注入される逆向きスピン量の双方の入力によって、ドレインＤから出力される電子量が変化する。 - 特許庁

In one embodiment, a second S/D region is separated from the channel by an offset region, and the photo absorption threshold bias region is the offset region in the Ge layer, after light P-doping.例文帳に追加

一実施形態において、第２のＳ／Ｄ領域は、オフセット領域によりチャネルから引き離され、光吸収しきい値バイアス領域は、濃度の薄いＰ型ドーピング後のＧｅ層中のオフセット領域である。 - 特許庁