interstitial solid solutionとは 意味・読み方・使い方

The silicon solid solution layer 106 has a structure in which silicon is arranged as an interstitial element or a substitutional element in a copper crystal structure forming the copper interconnect line 107.例文帳に追加

シリコン固溶層１０６は、銅配線１０７を構成する銅の結晶構造中にシリコンが格子間元素または置換元素として配置された構造となっている。 - 特許庁

Silicon-containing copper forming the silicon solid solution 106 is kept in a state in which silicon is introduced as an interstitial element or a substitutional element while the silicon-containing copper maintains a copper crystal structure (face-centered cubic lattice;lattice constant 3.6Å).例文帳に追加

シリコン固溶層１０６を構成するシリコン含有銅は、銅の結晶構造（面心立方格子；格子定数３．６オングストローム）を維持しつつ格子間元素または置換元素としてシリコンが導入された状態となっている。 - 特許庁

The silicon wafer has a high-oxygen-concentration region where a solid solution oxygen concentration is ≥0.7×10^18 atoms/cm^3 in a no-defect region (DZ layer) 12 including at least the device active region of the silicon wafer 10, and contains interstitial silicon 14 in the no-defect region 12 in a supersaturation state.例文帳に追加

本発明に係わるシリコンウェーハは、シリコンウェーハ１０の少なくともデバイス活性領域が含まれる無欠陥領域（ＤＺ層）１２内に固溶酸素濃度が０．７×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上の高酸素濃度領域を有し、かつ、無欠陥領域１２内には、格子間シリコン１４が過飽和状態で含有されている。 - 特許庁