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copper interconnectとは 意味・読み方・使い方
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「copper interconnect」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 60件
COPPER INTERCONNECT例文帳に追加
銅配線 - 特許庁
METHOD FOR FABRICATING COPPER INTERCONNECT OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
半導体素子の銅配線の形成方法 - 特許庁
COPPER INTERCONNECT SEED LAYER TREATMENT METHOD AND APPARATUS FOR TREATING THE SAME例文帳に追加
銅結線のシード層の処理方法および処理装置 - 特許庁
COPPER ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE INTERCONNECT LINE SEED LAYER例文帳に追加
半導体装置配線シード層形成用銅合金スパッタリングターゲット - 特許庁
Ti LINER FOR COPPER INTERCONNECT WITH LOW-K DIELECTRIC例文帳に追加
low−k誘電体による銅相互接続用Tiライナ - 特許庁
MULTILAYERED BARRIER-METAL THIN FILM FOR COPPER INTERCONNECT BY ALCVD例文帳に追加
ALCVDによるCuインターコネクトのための多層バリアメタル薄膜 - 特許庁
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ウィキペディア英語版での「copper interconnect」の意味 |
Copper interconnect
出典:『Wikipedia』 (2011/06/06 19:10 UTC 版)
「copper interconnect」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 60件
COPPER INTERCONNECT WIRING AND METHOD AND APPARATUS FOR FORMING THEREFOR例文帳に追加
銅相互接続配線、ならびにそれを構成するための方法および機器 - 特許庁
COPPER ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE INTERCONNECT LINE SEED LAYER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INTERCONNECT LINE SEED LAYER例文帳に追加
半導体装置配線シード層形成用銅合金スパッタリングターゲットおよび半導体装置配線シード層 - 特許庁
The interconnect structure provides a highly reliable copper interconnect structure for improving current carrying capabilities (e.g., current spreading).例文帳に追加
本発明の相互接続構造体は、通電性能(例えば電流拡散)を改善するための高信頼性銅相互接続構造体を提供する。 - 特許庁
In this semiconductor device 1, a copper interconnect layer 14 that has an interconnect including an inductor 141 with the interconnect including the inductor 141 buried in an interconnect trench formed in an insulating layer 21, and copper interconnect layers 11-13, which include no inductor and are buried in interconnect trenches formed in other insulating layers 15, 17 and 19, respectively, are stacked together.例文帳に追加
半導体装置1は、インダクタ141を含む配線を有し、絶縁層21に形成された配線溝に前記インダクタ141を含む配線が埋設された銅配線層14と、インダクタを含まず、他の絶縁層15,17,19に形成された配線溝に埋設された銅配線層11〜13とが積層されている。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING COPPER INTERCONNECT HAVING INTERLAYER INSULATOR OF VERY LOW PERMITTIVITY例文帳に追加
非常に低い誘電率の層間絶縁体を有する銅インターコネクトを製造する方法 - 特許庁
At first, interconnect 5w containing copper is formed on a semiconductor substrate 1 ((A)step).例文帳に追加
まず半導体基板1上に銅を含む配線5wが形成される((A)工程)。 - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR FORMING PLANARIZED COPPER INTERCONNECT LAYER USING ELECTROLESS MEMBRANE DEPOSITION例文帳に追加
無電解薄膜析出法により平坦化銅相互接続層を形成する方法および装置 - 特許庁
A package structure has a substrate 218, a chip 202, and a plurality of copper interconnect lines 204a.例文帳に追加
パッケージ構造は、基板218、チップ202、複数の銅配線204aを備える。 - 特許庁
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銅配線
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